对于消费者来说仍然太贵,但是服务器市场的好处是引人注目的。
由马克LaPedus
半导体制造与设计坐下来讨论3 d设备的挑战和应用程序与约翰·刘,工业技术研究所研究员(工研院),一个在台湾研究机构。
SMD工研院在3 d tsv是什么?
刘:在工研院,我们开发出了世界上第一个应用材料的300毫米(3 d TSV)集成。两年前完成了线。我们开发了从开始到结束的过程。我们没有产品。我们展示3 d tsv的可行性。
SMD:工研院做的领域是什么?
刘:我们也有一个财团叫Ad-STAC财团(高级Stacked-System和应用)。我们有超过22个成员。我们只是为3 d开发必要的技术集成。官方,成员是联华电子应用材料,布鲁尔,Rambus、思科等。除此之外,我们有大约80人在EDA。对于3 d, EDA是非常关键的。
SMD在哪里和3 d tsv行业吗?
刘:对我来说,它仍然是非常早的。你还得把oem厂商进入混合。oem厂商可能会说:“哦,我很感兴趣。“然后,你仍然需要等待三到五年。有两种不同类型的oem厂商。一个是消费者。3 d tsv仍过于昂贵。然而,它可能是一个不同的故事对高端,下一代服务器、网络和测试和测量装置。
SMD:3 d是一个很好的起点在哪里?
刘:把混合内存立方体财团。几个月前,该集团宣布将开放规范的今年年底。但这只是对高端服务器、测试和测量、和网络。这是非常高的性能,而不是消费者。他们可能采用3 d。但混合内存数据集移动产品吗?来吧。当然,我们希望可以在消费市场的3 d。在消费者中,有更大的卷。
SMD对3 d的最大挑战是什么?
刘:成本。消费市场成本驱动。对于iPhone 5,半导体材料清单小于30美元。asic和内存小于30美元。现在Xilinx FPGA的2.5 d。Xilinx的首席技术官最近做了一个主题在西方半导体。他的结论是,他们需要降低成本。2.5 d FPGA仍然是昂贵的。
SMD制造业的挑战是什么?
刘:为了让TSV不超过5%的成本。但如果你看看其他措施,临时结合,磨,和其他人。最大的问题是细晶片处理和临时焊接/脱胶。然后你需要调试它。
SMD:谁应该tsv吗?OSATs或铸造厂吗?
刘:Xilinx是使用65纳米技术的2.5 d fpga。OSATs像ASE没有65纳米技术。如果他们做了,他们将成为另一个铸造。OSATs不应使tsv。我还是说一块假的硅像一个插入器,线的宽度是3微米以上,OSATs可以这样做。去年,公司说他们不打算投资一分钱tsv。这是正确的方向。
SMD:为什么宽I / O记忆产生如此多的兴趣?
刘:内存带宽。带宽是指每秒传输的数据量。典型的动态随机存取记忆体,4 - 8 - 16或32位数据宽度与CPU /逻辑/ SoC和/或外面的世界。这些被称为×4 -×8,×16 -,或×32位的I / O。宽I / O定义为×512位的I / O或512位数据宽度或更高。
SMD内存带宽是这场游戏的名字吗?
刘:内存带宽内存I / O数据宽度成正比。例如,ddr3 - 1600芯片的速度评级1600 Mb / s / I / O。如果这个ddr3 - 1600芯片×32位的I / O数据宽度,芯片会有一个总内存带宽的32×1600 = 51200 Mb / s或51.2 gb / s。数据宽度越大,内存带宽越大。
SMD:所以瓶颈在哪里?
刘:宽度有限的数据集成电路包装技术。TSV技术,它提供了通过规模很小(5 - 10-μm大小很常见)和音高(20 - 40-μm球是常见的),更广泛的I / O数据通路,如512位数据宽度,不仅仅是可能的。另一方面,引线结合技术垫大小和球比TSV大很多倍的超级星系。为了实现512位数据宽度,芯片尺寸,因此成本,必须大幅提升。这就是为什么TSV对内存带宽的吸引力。假设,如果我们有tsv贯穿4-DRAM堆栈×512位数据路径,我们可以有相同的ddr3 - 1600芯片总内存带宽为102.4 gb / s。当然,这个DRAM堆栈互连的逻辑/ SoC为了得到这个带宽。
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复