研究人员报告了量子点托管在一个28Si /28SiO2采用全光刻工艺和全工业加工，在300毫米半导体制造设施中制造，实现了具有优异产量的纳米级栅极图案。
文摘:
“全面的量子计算机需要集成数百万个量子比特，而利用工业半导体制造来满足这一需求的潜力，推动了硅量子点量子计算的发展。然而，迄今为止，制造一直依赖电子束光刻技术，除了少数例外，传统的升压工艺产量低，均匀性差。在这里我们报告量子点托管在一个28Si /28SiO2接口和制造在300毫米半导体制造设施使用全光刻和全工业加工。通过这种方法，我们获得了具有优异产量的纳米级栅极图案。在多电子状态下，量子点允许良好的隧道势垒控制——这是容错双量子比特门的关键特征。在少电子状态下使用磁共振进行单自旋量子比特操作，揭示了在1 T时超过1秒的弛豫时间和超过3毫秒的相干时间。”
找到开放获取这里是技术论文。出版于2022年3月。
Zwerver, A.M.J, Krähenmann, T.， Watson, T.F.et al。先进半导体制造制造的量子比特。Nat电子5，184 - 190(2022)。https://doi.org/10.1038/s41928 - 022 - 00727 - 9。
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