减少MRAM芯片面积;快速电致变色的显示;缺陷在战区导弹防御系统。
减少MRAM芯片面积
的研究人员日本东北大学发达的技术堆栈磁隧道结(MTJ)直接通过没有造成其电/磁特性的恶化。
团队专注于减少存储单元面积自旋转矩磁随机存取存储器(STT-MRAM)为了降低生产成本,使其与传统的记忆像DRAM更具竞争力。
因为MTJ使用磁性,MTJ及其之间的表面质量较低的电极是很重要的。如果表面不是光滑、电/磁特性的MTJ将降低。出于这个原因,放置一个MTJ STT-MRAMs一直避免直接在通过洞直到现在,虽然会增加存储单元的大小。
组解决问题通过开发一个特殊的抛光工艺,以防止任何MTJ及其低的电极之间的干扰。技术的有效性被成功验证了实验使用single-MTJ测试芯片。
装配式2-Mbit MRAM测试芯片验证发达MTJ VLSI技术直接通过洞形成。(来源:Yoichi大岛渚)
团队设计了一个2-Mbit STT-MRAM测试芯片集成新技术验证所需的空间集成电路——这包括mtj超过100万。
Tetsuo Endoh教授中心主任创新综合电子系统(培育),“这不仅测试芯片显示内存位产量提高70%标准STT-MRAM相比,但其存储单元面积减少30%。这将是非常有效的减少MRAM芯片区域。”
快速电致变色的显示
发现了一个方法桑迪亚国家实验室和纳米科技中心国家标准与技术研究院(NIST)可能是下一步改进的平板显示器,使用超薄层的便宜聚合物电致变色的产生明亮的颜色,第一次,可以迅速改变。
电致变色聚合物本身并不是一个新发明。他们在回应一个外加电压改变颜色,只需要能量之间转换时彩色和透明的状态。但在此之前,没有人知道如何开关电致变色显示毫秒创建移动所需的图像。
问题在于聚合物的厚度。传统的电致变色的显示需要厚聚合物层亮和暗像素之间获得良好的对比。但厚层也需要长时间扩散的离子和电子改变聚合物的电荷状态,使它们只适用于静态信息显示或变暗的窗户波音梦想飞机,不显示快速行动。
为了解决这个问题,研究人员创建数组的垂直纳米狭缝垂直于入射光的方向。缝被切成非常薄的铝轨道与电致变色聚合物涂层。当光了铝nanoslits,转化成表面等离子体极化声子(许可证),包含可见光谱频率的电磁波,沿着介质接口——在这里,铝和电致变色的聚合物。
在这个示意图,从顶部和遇到一个纳米光栅由铝和涂有一层特殊的电致变色的材料。光穿过nanograting表面电浆子,振荡,在金属和电介质的界面(绝缘)材料。缝的间距可以过滤掉所有但一种颜色的光,和一个额外的氮化硅层进一步幽灵似地净化着逃跑的光。(来源:t .徐和a . Agrawal / NIST)
缝之间的距离在每个数组(沥青)确定哪些波长-红色,蓝色或绿色,传播通过数组,旅行沿着薄聚合物之间的界面层和铝基板。
由于聚合物纳米厚,它需要很少的时间就可改变其电荷状态,因此它的光学吸收的彩色光。
“这些很便宜,明亮,低能micropixels可以开启和关闭,以毫秒为单位,使其适合的候选人提供改善未来的一代又一代的屏幕上观看并显示,“说桑迪亚研究员艾里克蛋白。“nanoslits提高光学对比薄电致变色层从大约10%到超过80%。”
tmd缺陷
科学家们从美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校质疑杂质和缺陷过渡金属Dichalcogenides(tmd)可以修改其内在属性在有益的方面,与硅。
最近发现的一类半导体tmd,只有三个原子厚和扩展在二维平面上,类似于石墨烯。这些二维半导体特殊光学特性,并且可以发展成敏感探测器照片。单个TMD层发出光3 d TMD 10000层组成的晶体。
科学家们合成three-atom厚,TMD的清洁层钼联硒化物,发现失踪的线性缺陷形成的一条线硒原子。这个缺陷创建单原子厚度的金属导线,否则穿过完整的半导体和静脉。
左边的显微镜图像显示线性缺陷,穿过二维半导体像静脉。平行线之间的缺陷所在。正确的图像的组合理论原子结构底部,和显微镜图像显示个人硒原子在红色的金子和电荷密度波。(来源:伯克利实验室)
科学家们然后冷却材料-452华氏度,导致原子沿着金属电线重新整理自己。当这种情况发生时,原子的电子不再是均匀分布的。相反,他们调制正弦波,当电子在半导体的其余部分保持不变。
这灯是有趣的,因为它的存在表明电子之间的强耦合,由原子晶格。
“类似的强耦合发生在超导状态,”莎拉说嚎叫伯克利实验室的分子铸造。“此外,我们观察到的电荷密度波仍然存在温度远高于液氮的温度。”
研究小组说,这带来了一个大问题:如果类似的缺陷可以在其他类型的注册超过60个不同的战区导弹防御系统,就有可能诱发超导状态的材料在温度高于临界温度最高为超导体目前报道吗?
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复