专家在餐桌上,第2部分:记忆的世界正在发生迅速的变化,但目前尚不清楚新方法将成为主流。将DDR生存或这是路的尽头吗?
半导体工程坐下来与一个专家小组发现的世界发生的事情的记忆。首席执行官参加讨论Kilopass技术;高级营销主任Navraj Nandra模拟/混合信号的IP,嵌入式记忆和逻辑库Synopsys对此;斯科特•雅各布森在销售和营销业务发展节奏;高级主管和弗兰克铁产品开发的接口和记忆的Rambus。以下是摘录的谈话。
在第一部分的小组成员讨论了分岔内存移动和桌面之间的需求和一些需要解决这些问题的方法。
SE:三维集成电路创建一个不同的世界,你永远不可能有足够的内存芯片上与那些会完全满意?
Nandra:所有这一切都归结到经济学。一些建议我们看到依靠便宜的TSV 3 d技术ICs。失败是成功之母。我认为是一种混合内存立方体(HMC)有更多的机会,因为内存供应商负责TSV。与高带宽内存由系统的人。
铁:当你有一个材料清单,将影响你的收益率最薄弱的一环。我以前在一个公司工作,multi-chip模块(MCM),当一个部件坏了,整件事就扔掉所以成本上升。与高带宽内存或HMC你还看应用程序需要的最高速度和这些不太可能接近我的移动设备。
SE:对片外存储器,我们听说DDR4可能是路的尽头。这个行业会停滞不前或者是他们额外的机会?
铁:在Rambus,我们展示了一个6.4 gb / S测试芯片,已经运行了一年左右。我们知道我们可以双当前3.2 gb / S。如果提出了将来作为标准,可能需要DDR和LPDDR另一轮。所以我们仍然还有很长的路要走。的确,我们没有看到很多DDR5建议。
Nandra:3200年DDR4会长寿。讨论DDR极其过早的死亡。
雅各布森:如果你看看DDR的历史,和图的发展标准,你看这漂亮的流动下技术采用的长度是一个很好的一步,但与DDR4突然有一大堆下降的新技术,如HMC HBM,宽的I / O。前进道路的压力通过这种购物清单的技术方法来解决内存问题。带宽正在推动一个全新的观点如何做到这一点。从客户的角度来看,当他们受到限制,他们总是能做出令人惊奇的事情。当他们受制于成本,很有创意。他们说,如果没有什么超出了DDR的下一代,我能看看新技术之一,削减成本和获得新技术的体系结构的优势和获得更多的带宽。如果他们不能获得正确的价格/性能他们会寻找另一种解决方案。
SE:记忆本身——的新技术ReRAM,MRAM。多远是这些技术,他们会产生什么样的影响?
程:最基本的延迟动态随机存取记忆体速度非常慢。的速度非易失性内存(NVM) 15-20nS,所以大约50 mhz。现在问自己,为什么我想要一个DRAM,低于一个磁盘。NVM有潜在说摆脱20美元b DRAM,代之以NVM从头开始重新设计整个系统。但魔鬼藏在细节是如何使之成为现实。这是很困难的。半导体产业是非常不同的比在1980年代早期。今天生产的人可以尝试新的记忆非常遥远。是非常大的规模,而不是有利于实验和疯狂的家伙在西海岸正试图找出这些东西但是没有人建立。这是减缓创新。但即使一个新的记忆来将一半的这次谈话无关紧要。 You would have NVM directly connected to your processors. This would shrink the power consumption enormously. All of the power consumed by DDR and would be gone.
雅各布森:这带来了产业安全面临的另一个元素。当你进入一个NVM的世界里,有一个整体的未知的领域提供安全的最佳途径。这里有许多挑战。
程:这不是一个变化。引进NVM消除了中间商。它消除了DDR接口。很难确切知道它需要连接处理器的内存,因为它的行为是不同的。
铁:DRAM仍然是最便宜的存储。从实用的角度来看,从成本角度一直做出决策。有与MRAM和ReRAM制造挑战。我们问同样的问题。当ReRAM是准备好了吗?我同意这是一个生产的挑战,我没有一个好的视图,当这些将被克服。
雅各布森:这些新技术与规模问题仍在苦苦挣扎。
程消费者市场:这是真的,但它并不适用于数据中心。数据中心相对价格漠不关心。
SE:单片机空间的一些公司已经开始与ReRam船舶设备。人们常说,这是一个自然的地方替换和flash,因为相关的制造成本。这些都不是试图去最近的节点,而不是被满意40纳米,甚至65海里。
程:如果在那里工作,它很可能迁移。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复