内存设计优化系统性能如何

通过官约翰- 9月21日,2022 -评论:0

指数增加的数据和改进的性能需求的过程,数据催生了各种新方法的处理器设计和包装,但这也是驾驶大的变化在记忆方面。当底层技术仍然看起来很熟悉,真正的转变是那些记忆的方式连接到处理元素和各种组件在一个体制……»阅读更多

降低每一点能量

通过安Steffora Mutschler2021年8月- 12 -评论:0

能源正在成为一个焦点在芯片和系统设计,但解决能源问题需要处理在一个更广泛的范围上比设计团队通常看到的。能量消耗的电量在一段时间内执行一个给定的任务,但减少能源和还原能力不同。它会影响从运营成本和系统性能……»阅读更多

下一个新的记忆

通过马克LaPedus8月- 15,2019 -评论:2

几个下一代记忆类型增加经过多年的研发,但还有更多的新记忆研究管道。今天,几个下一代记忆,如MRAM、相变内存(PCM)和ReRAM航运一个学位或另一个。一些新记忆这些技术的延伸。其他基于全新的技术或涉及基于“增大化现实”技术的…»阅读更多

在制造和测试STT-MRAM挑战

通过马克LaPedus2019年5月- 07 -评论:1

一些芯片制造商加大新一代内存类型称为STT-MRAM,但仍有各式各样的对当前和未来的设备制造和测试的挑战。STT-MRAM或自旋扭矩MRAM是吸引力和日益活跃,因为它结合了几种常规内存类型的属性在一个单一的设备。多年来,STT-MRAM特性…»阅读更多

嵌入式相变内存中

通过马克LaPedus——2019年1月24日——评论:3

下一代嵌入式应用程序内存市场正变得越来越拥挤的另一个技术出现arena-embedded相变内存。相变内存并不新鲜,几十年来一直在进行。但这项技术已经不再商业化在技术和成本的挑战。相变内存,一个存储数据的非易失存储器类型……»阅读更多

在22纳米铸造厂准备战斗

通过马克LaPedus11月19日,2018 -评论:0

之后引入新的22纳米工艺在过去的一两年,铸造厂是准备生产技术准备摊牌。GlobalFoundries,英特尔,台积电和联华电子正在开发和/或扩大他们的努力在22纳米迹象这个节点可以产生大量的业务应用程序(如汽车、物联网、无线。但铸造客户面临一些艰难choic……»阅读更多

FeFETs是什么?

通过马克LaPedus2017年2月- 16(-评论:1

内存市场会在几个不同的方向。在一个方面,传统的内存类型,这样的DRAM和闪存,仍然是主力技术系统尽管在商业经历一些变化。然后,一些供应商准备下一代记忆类型的市场。进行的一个系列,半导体工程将探索新…»阅读更多

新的嵌入式记忆之前

通过马克LaPedus1月25日,2017 -评论:0

嵌入式内存市场开始升温,推动了新一波的微控制器(mcu)和相关的芯片可能会需要新的、更有能力的非易失性内存类型。这个行业正在从几个不同的方面在嵌入式内存景观。在一个方面,传统的解决方案推进。在另一个方面,一些供应商定位next-generatio……»阅读更多

记忆的方向不确定

通过布莱恩•贝利- 10月17日,2014 -评论:0

半导体工程坐下来与一个专家小组发现的世界发生的事情的记忆。参与讨论[getperson id = " 11073 "评论=“陈查理”],首席执行官在[getentity id = " 22135 " e_name =“Kilopass技术”);高级营销主任Navraj Nandra模拟/混合信号的IP,嵌入式记忆和逻辑库[getentity…»阅读更多

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