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标签:非易失性内存

研究报告:10月18日
通过杰西·艾伦- 2022年10月18日-评论:0

麻省理工学院(MIT)、哈佛大学、斯坦福大学、劳伦斯伯克利国家实验室、韩国科学技术研究院和清华大学的工程师们创建了一种模块化方法来构建可堆叠、可重构的AI芯片。该设计包括交替层的传感和处理元件，以及发光二极管。»阅读更多

名字(空格)里有什么?优化SSD控制器性能与验证
通过Himani Kaushik- 2022年5月12日-意见:0

固态硬盘(ssd)已经成为当今和未来巨大的数据传输和存储需求的有前途的解决方案。ssd本身也在不断升级其关键组件，以提供更高的访问速度。NVMe规范的一个这样的组件是通过将非易失性内存(NVM)划分为通常所知的…»阅读更多

使用神经网络进行嵌入式时间序列分类的超低功耗硬件加速器框架
通过弗劳恩霍夫东亚峰会- 2022年3月9日-评论:0

在使用神经网络(NNs)进行分类任务的嵌入式应用程序中，重要的不仅是最小化神经网络计算的功耗，而且是最小化整个系统的功耗。针对个别部分的优化方法，如神经网络的量化或算术运算的模拟计算。然而，对于一个完整的嵌入式系统设计来说，没有一种整体的方法。»阅读更多

SOT-MRAM将挑战SRAM
通过布来安梅奥- 2022年1月13日-评论

在新的非易失性存储器(NVM)技术时代，另一种变体正准备加入竞争——一种名为自旋轨道转矩(SOT-MRAM)的新版本MRAM。让它特别有趣的是，它有可能在某一天取代片上系统(soc)和其他集成电路中的SRAM阵列。SOT-MRAM技术的主要优点是具有良好的可靠性。»阅读更多

MRAM正向多个方向发展
通过布来安梅奥- 2021年3月11日-评论

磁阻存储器(MRAM)是面向广泛商业应用的几种新型非易失性存储器技术之一，但将MRAM设计到芯片和系统中并不像添加其他类型的存储器那么简单。MRAM并不是一种万能的技术。它需要根据预期的目的进行调整。瞄准闪存的MRAMs不会像瞄准sram那样好，反之亦然。»阅读更多

基于pcie的SSD存储NVMe校验IP的9个有效特性
通过西门子EDA- 2021年3月10日-意见:0

NVMe (Non-Volatile Memory Express)是一款针对PCIe固态硬盘(SSD)优化的新软件接口。本文提供了NVMe规范的概述，并研究了它的一些关键特性。我们将讨论其优缺点，将其与其他常规技术进行比较，并指出在验证过程中需要重点关注的关键领域。您将学习如何NVMe Questa验证IP…»阅读更多

FeFETs带来希望和挑战
通过布来安梅奥- 2021年2月17日-意见:3

铁电fet (FeFETs)和存储器(FeRAM)在研究界引起了很高的兴趣。基于一种尚未被商业利用的物理机制，他们加入了其他处于不同商业化阶段的有趣的新物理思想。“FeRAM非常有前途，但它就像所有有前途的存储技术一样——需要一段时间才能实现……»阅读更多

“就地执行”怎么了?
通过布来安梅奥- 2020年8月25日-评论:0

直接从存储代码的非易失性存储器执行代码，极大地简化了计算体系结构——特别是对于简单的嵌入式设备，如微控制器(mcu)。然而，记忆和逻辑过程的分歧使这在今天几乎不可能实现。术语“就地执行”或“XIP”起源于mcu中的嵌入式NOR内存，使XIP可行. ...»阅读更多

新的非易失性存储器内部
通过布来安梅奥- 2020年4月7日-评论:0

人们仍在继续寻找新的非易失性存储器(NVMs)来挑战现有的技术，但在任何技术被接受之前，它必须被证明是可靠的。富士通(Fujitsu)高级营销经理TongSwan Pang表示:“每个人都在寻找通用内存。”“不同的技术有不同的可靠性挑战，并不是所有的技术都能在汽车领域运行。»阅读更多

驯服新奇的NVM非确定性
通过布来安梅奥- 2020年3月10日-评论

新的存储器技术可能具有非确定性特征，增加了测试负担的校准-并且可能需要在其生命周期内重新校准。许多这样的存储器都在开发中，这是对存储级存储器(SCM)技术的研究的结果，这种技术可以弥合闪存等更大、更慢的存储器和更快的DRAM存储器之间的差距。有几种方法……»阅读更多

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