2015年工厂工具商业面临着挑战

2013年略有下滑后,半导体设备行业反弹,并在2014年经历了一个坚实的好转。经济复苏主要是由工具在铸造和支出动态随机存取记忆体部门。

另一个大的和正在进行的2014年的故事继续展开。在2013年末,应用材料宣布了一项最终协议收购东京电子有限公司(TEL)为93亿美元。这笔交易应该在2014年下半年完成。但是现在,交易的完成之际,一直到2015年推出一系列复杂的监管问题。

事实上,Applied-TEL交易的命运只是一个许多燃烧问题的行业在2015年。其他问题也清楚:

•将IC-equipment供应商看到好转或2015年衰退?
•驱动程序是什么?
•将450 mm晶圆厂,EUV和2.5 d/三维集成电路堆死真的发生了吗?
•设备行业将继续看到更多2015年收购活动?

这个行业继续巩固并有充分的理由。在每一个节点,只是有更少的客户服务在一个成熟的市场。“需要更多的行业整合在一些地区,尤其是在过程控制和组件/耗材市场,像MKS仪器公司,Entegris和其他人参与,“Patrick Ho说,Stifel Nicolaus分析师。“因此,我们会看到(2015年收购活动)吗?有更大可能性较小的球员可能互相结合,与任何大的球员采取了的小球员。我的理由是:大玩家都是忙,如应用和电话,或内容在他们当前的位置。长远来看,我们仍然需要一个更大问题发生进一步巩固空间”。

大胆的预测
预测未来是很困难的,但有迹象表明,Applied-TEL交易将在2015年完成。到目前为止,该交易已通过监管机构在一些国家,而不是别人。“这笔交易完成,”何说。“任何交易的规模和范围,特别是当你处理一个相对巩固客户群,可能会获得更多的客户的审查,甚至一些阻力。但像许多其他大型交易,我相信最终也许会用一些偶发事件添加到最终协议。”

另一个挥之不去的问题是IC-equipment预测为2015。在市场上有好坏参半的信号。在许多国家经济增长依然疲弱。全球地缘政治格局是令人不安的。在电子市场,两个主要growth-smartphones和平板电脑的催化剂显示出放缓的迹象。

因此,工具厂商的前景是多云。事实上,引用放缓移动产品和其他因素,有些已经降低了他们的预估为2015。在最新的预测中,Gartner预计,半导体资本支出和芯片厂设备(WFE)市场将增长11.4%和17.1%,分别是在2014年。

目前为2015,Gartner预测半导体资本支出和WFE将增长8.8%和11.1%,分别。“目前,这些数字可能会便宜一点,在2015年没有出现那样健壮的三个月前,”迪恩·弗里曼说,Gartner的分析师。“WFE 2015将在5%到10%范围和资本支出将接近5%。这取决于三星花了多少钱在第四季度。”

其他分析师也有类似的预测为2015。但下来,吃了市场在2015年可能面临衰退。

Drivers-DRAM, finFETs和NAND闪存
展望未来,工具厂商正处在行业的历史上最具挑战性的时期。芯片制造商正在主要从平面结构过渡到各种类3 d结构,如3 d与非,finFETs和堆死。

工具,反过来,必须开发新的和先进的系统,以满足客户的需求。但开发新工具成本飙升的失控。然而,有更少的尖端客户在每一个节点。

另一方面,转向新的芯片架构成为“拐点”——或者引擎设备行业,就是Doug打赌说,执行副总裁和首席财务官林的研究在最近的一次会议上。拐点”(包括)走向多模式。这是一个经济增长的巨大推动力,“打赌说。“这是也从平面finFET的举措。是平面的3 d NAND,以及移动到3 d包装。”

2015年,大工厂工具订单的司机可能会驻留在铸造领域,GlobalFoundries、三星和台积电正在从平面晶体管在20 nm finFETs 16 nm / 14 nm。英特尔已经加大其第二代finFETs 14 nm。

铸造的段,WFE预计将在2015年增长5%至10%,根据Stifel Nicolaus的。但工具finFET坡道的订单也有些依赖于一个主要factor-yield。铸造厂,包括英特尔、正艰难应对finFET收益率。与finFET”,这将是一个问题的支出与收益的大小,”何说。

对于DRAM, WFE预计将在2015年增长10%至15%。在NAND闪存,WFE预计将增长5%到10%,根据Stifel Nicolaus。事实上,动态随机存取记忆体市场依然强劲。可能有2015年2 d NAND闪存容量短缺。但除了三星,供应商继续推出3 d NAND坡道。

“3 d NAND的时机推出由于产量和需求,但NAND闪存行业最终将过渡到这一技术,”何说。“平面NAND的成本基础仍然是更有吸引力,所以我相信球员们会尝试利用这两个节点。”

其他人也在2015年看到一个喜忧参半。“在NAND闪存,3 d支出预计将更广泛和更大,但它仍然滞后平面支出直到2016年。然而,我们的客户看到收益递减采用平面和()3 d是不可避免的。预计DRAM供应仍然紧张,并有很强的潜力能力增加,“吉吉Lai说,战略营销高级总监应用材料。“总的来说,我们预计芯片厂设备支出会更高(2015年),由铸造finFET战斗,更广泛的投资3 d NAND闪存,并增加DRAM支出。”

450毫米和EUV
可以有把握地说,450毫米2015年不会是一个因素。事实上,这个行业已经搁置450毫米技术在可预见的未来。现在,450毫米太昂贵和边际效益。

但在2015年,该行业将会密切关注ASML正努力把极端紫外线(EUV)光刻投入生产。“如果你看看(最近的)eBeam倡议调查,表明有一点怀疑的EUV的增加,“说阿基》d2的董事长兼首席执行官。“许多业内人士的调查回应声明:“我们仍然希望(EUV)发生。但在公开场合,每个人都说:“我不知道如果我们能指望它。所以我们最好有备份计划。’”

除非有重大突破的EUV,芯片制造商和多个成像将使用193 nm液浸式光刻16 nm / 14 nm和10纳米。“这不是问题你是否能做(多个模式)。从技术上讲,这是可能的。问题是如果是经济可行的。当然,经济可行性的答案是非常不同的,这取决于你是谁,”》说。

后端蓝调
多年来,与此同时,行业一直谈论2.5 d和3 d芯片的开发利用在矽通过(tsv)。虽然到目前为止,2.5 d / 3 d技术比预期的要长在成本和技术上的挑战。“我们已经在今天生产。但是,这些都是高性能应用程序,”Jan Vardaman表示TechSearch国际。“除了Xilinx之外,还有其他人,正在开发的产品使用一个插入器应该在2015年。”

所以,当2.5 d / 3 d堆叠死冲击主流?“这些都是新架构,”Vardaman说。“新架构需要很长时间才能发展,你必须小心。”

吃的产业,与此同时,预计在2014年将增长20%。蓬勃发展的需求驱动的测试应用程序在手机处理器的空间。不久前,Pacific Crest Securities吃市场预计,将在2015年增长10%。但最近该公司下调预期,现在项目吃2015年下降了2%。