执行官的洞察力:查理程

首席执行官查理程Kilopass,坐下来与半导体工程讨论问题与当前内存类型和为什么市场准备颠覆性的方法来降低电力和成本。

SE:在内存空间的改变什么?

程:记忆是一个非常重要的组成部分。这是一个基础和商品的芯片和系统,但如果你看看大局,电子行业已经成熟,所以记忆是每个人都或多或少的跑步机上。有很多公司,赚很多钱,但总的来说这是一个大男孩的游戏。知识产权、内容和交付越来越多的半导体晶圆代工厂。

SE:在这个市场下一件事是什么?

程:跑步机,仍在继续静态存储器,动态随机存取记忆体和闪光都是很有创意的化身。如果你看看flash, 3 d了,在此之前这是多层次的。如果你看看DRAM,电容器现在看起来像一个在曼哈顿的摩天大楼。这是一个100 - 1比例。电容器的高度是宽度的100倍。如果你看看SRAM,走了三维晶体管finFET的形式,并将发展。这是一个明确的信号treadmill-trying想尽办法继续扩展。但这也就是机会破坏。由于建筑技术是非常大的制造商,无论是IDMs或铸造厂,男生负责这些公司有权力最大的预算。他们的工作都是关于低风险、快速,成本低。 It’s not about innovation. The industry can easily go into a dynamic where the concept of SRAM, DRAM or flash will continue beyond its practical limit because the manufacturing guys have so much invested in making it work.

SE:摩尔定律曲线后,对吧?这是证明,因此低风险。

程:是的,加上风险资本是干涸的东太平洋,制造业左海湾地区和欧洲大部分地区,它确实创造了一个空白。制造人寻找最低的风险,和一般人的发明者没有人力资源和青年或风险资本投资。这是成为一个有趣的问题。

SE:Kilopass是创建IP进入记忆。你在哪里看到的机会吗?

程:我们在海湾地区,所以我们还有很多有趣的人进入我们的办公室。我们有很多访问硅生产,因为我们的铸造的关系。我们经济独立由于早期投资回报率。所以我们在一个独特的地位,因为现在我们可以做一些事情在跑步机上的互补。

SE:内存速度和成本一直是一个游戏。你适合在哪里呢?

程:干扰技术,成本是必要的,但是不足的因素。在跑步机上的人非常擅长减少成本。对于新手来说,市场窗口太短降低更多的成本。我们必须做些不同的东西。我们正在努力减少功率超过1000次。

SE:你如何到达那里?

程详细:我不能说话,但是你看看薄氧化物是这些日子和泄漏的晶体管的数量,finFETs是一个很好的平衡,但他们远远不够。我们有一个好的解决方案。

SE:性能怎么样?

程:如果你看看现代处理器,你不能找到一个Cortex-A处理器,例如,少于15阶段的管道。其中一个原因是,内存速度没有跟上。SRAM的工作方式是,一些细胞电流必须克服电容和电阻来接收信号,说数据是一个或一个零。随着金属变薄,你转移的能力,数量是有限的。但更重要的是,SRAM本身不能产生足够的电流。如果你想想2 kb的内存数组中,16000位。16000位的速度取决于最慢一点,不平均。当你来到一个分布,因为大的可变性晶体管,它往往是相当缓慢。当你到达2级和3级缓存,规模相当大。这些天也不是什么罕见的三级缓存16字节,或1600万这些小事情。 Speed is determined by the slowest bit.

SE:链中最薄弱的一环,对吧?

程:是的。但是,权力是不同的。权力是基于平均因为他们都独立地消散。但是速度是过去的信号到达为了不错过它。

SE:如果你有相等的部分,你会得到更好的性能的缓存吗?

程:是的,没错。我们一样受到限制的薄金属和金属架构很多类似的问题。但性能的关键是解决可变性。这就是我们的工作。SRAM, DRAM和嵌入式flash的所有方面的问题。我们也非常密切关注英特尔和微米之间的协议。可以改变游戏规则。

SE:为什么吗?

程:内存公司进入移动领域DRAM和闪存叠加在一起,创造一个令人信服的解决方案。但Intel-Micron已经开发出一种新的记忆一些细胞,他们一直在做很长时间了。它可以提高速度和耐力的1000倍。如果你提高速度1000倍的非易失性内存,你和DRAM以相同的速度运行。的处理器,为什么你要有很多的DRAM消散很多权力时你可以直接走到非易失性内存,得到相同的速度吗?另一部分是闪存穿出来。你不会想要你的工作记忆穿出已经脆弱。现在闪存穿后大约10 ^ 3或1000倍。如果你提高1000倍的10 ^ 6或100万倍。真正的DRAM的耐力10 ^ 20,所以现在我们10 ^ 14了。这是一个手表。当你电脑的闪存穿——它实行不再是能够存储和检索备用行、列或行业的数据移动到一个安全的地方。 It’s spending all its time trying to move data to where it is within the safeguard.

SE:这是固态硬盘吗?

程是的,现在焊接到主板上。但当它穿出去,SSD不再是任何好,处理器和DRAM仍然是原始的。如果电脑的生活是三年,这意味着处理器和DRAM的过度设计。也许可以接受穿10 ^ 13一个笔记本电脑。如果新的内存技术Micron-Intel 10 ^ 6,不是遥远。所以你可以购买更多的flash和消除DRAM比尔的材料。改变计算系统的层次结构第一次。

SE: Kilopass这是什么意思?

程:我们不工作在非易失性内存闪存的数据存储方式。我们必须找到一些相关业务。有一个数据层次结构,无论是在一个小的传感器或在云中。如何更有效和更低的内存层次结构的权力?这些天,权力是一个问题。智能手机不再是提高电池寿命的焦点。你可以得到一个手机充电持续三天。最有挑战的是传感器和云服务器。如果你需要一个电力线路,这是一个成本。如果你需要更换电池,这是一个成本。 If you need to service it, that’s a cost. On the other side, there’s a data center in Omaha, Nebraska, that is about the size of four football fields. It consumes an enormous amount of power. A lot of the Midwest is chewing up power because of that, but only about 20% to 25% is used for computing. Another 25% is used for cooling, and then you have 50% in power distribution from the source all the way to the cooling device. The delivery efficiency is about 50%. So anywhere you can save power, you essentially are getting a 4X return. It’s a massive problem. We’re trying to figure out how to make things more efficient and lower power.

SE:记忆会影响多少呢?

程:这是一个巨大的游戏。如果你想想100 -千兆以太网,管有4 x 28 gb,转储数据到芯片。SoC的知道转发数据包,它必须格式,然后向前。假设晶体管不会无限快速运行,它将不得不缓冲区。内存越大,你的逻辑可以放缓,降低能耗。但数学只适用如果SRAM不消耗更多的权力比晶体管。否则你必须使用尽可能多的晶体管和过程尽可能快,因为如果内存使用过多的权力,这是罪魁祸首。有100 gb,这是一个很多数据每秒,你必须缓冲。SRAM为智能以太网现在是最大的瓶颈。从网卡(网络接口卡)切换到路由/ 100 - 4 k电视千兆以太网,促使大量的内存需求。

SE:你在做什么?

程:我可以告诉你我们不工作。我们不是在平面扩展工作因为这是所有设备公司非常擅长。我们不是在工作的新材料。这就是铸造厂非常擅长。新材料需要深刻理解物理,直到你理解这些物理设计任何东西。但是你不懂物理,直到你尝试很多事情,和我们没有奢侈,因为我们没有工厂。我们只知道physics-silicon,硅germanium-things非常良好的文档记录。我们所做的工作记忆。这是一个非常集中的市场。有趣的启示我,当我来到这里后八年公司开始是Kilopass为数不多的公司实际发展铸造或IDM以外的内存,而且发达国家相对独特的东西。 Unlike a floating gate or a charge-trapping device that got started as an EPROM (erasable programmable read-only memory) and moved its way into flash, this is unique.

SE:但是这背后有巨大的潜力,对吧?

程:是的。这是一个非常激动人心的思考方式。在一月份我们贴出一个测试芯片。硅在五月回来。令我们大吃一惊的是第一次工作。它也有一点比我们最初认为的适用性。