为什么它是如此重要的模型裂解炉燃烧和结温变化的影响。
下一代汽车、HPC和网络应用正在热完整性和可靠性的要求,他们需要在极端条件下长时间运行。
FinFET的设计有很高的动态功率密度和功率直接影响芯片的热特征。热降解通常发生在一个长时间的芯片操作。然而,对于某些应用,比如云计算的需求在短时间内几乎连续操作的芯片,这种影响可以加速。因此分析现实应用向量和分析芯片的热特征根据不同工作负载,确保高覆盖率成为关键需求。
finFET的局部自动加热设备可能导致30°摄氏度变异芯片,会进一步导致互连温度变化的10到15°C,直接影响MTTF(平均失效到达时间)的设备。此外,该芯片的温度变化也会影响芯片的性能。早期的分析和检测的热热点是至关重要的,以确保一个成功和安全的产品,同时满足严格的上市时间进度要求。通过执行早期芯片,包和系统热分析,设计者可以系统地预测功率芯片的各种场景和可靠性对热量的影响。
配置文件权力真正的早期识别热中子临界windows应用程序
传统的设计方法往往缺乏覆盖真实的应用场景,如流高清多媒体或操作系统启动。这些场景跨越数十到数百毫秒的时间和过程是不切实际的。临界功率条件下由于实际应用程序活动因此通常发现很晚在设计流当芯片,把设计和进度风险。最近突破早期的RTL级快速力量分析可以运行好几个数量级的速度比传统的基于间隔动力分析方法。分析权力RTL级的真实应用程序级别的刺激,设计师可以识别能力和热中子临界windows早期设计流程。RTL权力分析可以处理很长时间活动——几百千兆字节的文件大小,构成数百毫秒的活动——在几个小时,而不是几天甚至几周时间与标准方法。使分析这样的大型活动集。
这些数据可以用于关键的设计决策,如SoC的物理实现、软件栈优化和冷却要求整个系统对各种工作负载。早期热分析也可以最大化覆盖系统级设计通过启用模拟各种芯片的热模型,捕捉不同的操作场景在不同的序列,从而减少需要设计利润率和昂贵的设计迭代。
不断发展的半导体可靠性需求
半导体可靠性需求正在迅速发展。新的应用程序如ADAS /自动驾驶汽车和无人驾驶飞机推进系统可靠性的限制。功能和功率密度增加下一代FinFET设计导致的自动加热设备和导线的电阻加热。这导致芯片温度的变化。
更窄的线宽,EM限制也在萎缩。因此,温度增加会导致更多EM违反片上,越来越难以修复。没有实际的热分析,很难预测如果你的芯片在设计或设计。保险设计导致设计下收敛周期较长而导致失败。此外,先进的2.5 / 3 d和wafer-level包装技术模糊模和包之间的界限,同时产生更多的热热点将影响芯片和系统级电磁和静电。也可以增加的机会thermal-induced压力,会导致扭曲和接触分离,造成长期可靠性的问题,最终使产品变得毫无用处。
因此,综合热分析的解决方案——一个能够模型自动加热效果和整体结温变化的死来执行thermal-aware可靠性和热诱导应力分析,需要一个精确的验收方法。
参加ANSYS ADAS研讨会在新兴的热性能和可靠性要求和自治系统学习物理模型进行如何解决关键汽车电子产品可靠性要求的热,thermal-aware电迁移(EM)和thermal-induced压力在芯片的光谱分析,方案和系统。
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