一个深入的看包级别特征与HDFO interposer-PoP RDL路由层以及包z-height评估,与温度有关的包翘曲测量。
插入器Package-on-Package(流行)技术是开发和大批量生产在过去的几年中对高端手机应用处理器(APs)。这是由于其优势良好的包装设计的灵活性,可控包翘曲在室温(25°C)和高温(260°C),减少了装配制造周期和chip-last组装制造的可用性。到目前为止,基于laminate-substrate interposer-PoP已经用于高端移动APs大批量生产。最近,这个interposer-PoP设计面临一些技术上的限制包括需要减少:顶部和底部路由层厚度、铜(铜)痕迹线/空间和为下一代移动APs通过大小。这些削减可能需要超薄包z-height和高带宽底部和顶部路由层。为应对这些挑战,一个新的interposer-PoP高密度扇出(HDFO)再分配层(RDL)路由层设计和演示。倡议的一部分,是实现超薄包z-height interposer-PoP结构具有高带宽和提高信号的完整性/电源完整性(SI / PI)路由层使用chip-last装配制造工艺流程。本文将讨论包级别特征与HDFO interposer-PoP RDL路由层以及包z-height评估,与温度有关的包翘曲测量和包级别按照电平进行可靠性测试。
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