中文 英语

提高扇出包的再分配层和sip


再分配层(rdl)今天在使用先进的包装方案包括扇出包,扇出芯片衬底的方法,扇出package-on-package,硅光子学和2.5 d / 3 d集成方法。这个行业是接受各种各样的扇出包特别是因为他们提供设计的灵活性,非常小的足迹,和具有成本效益的电气连接……»阅读更多

研究Bondable激光材料使用355纳米能量释放促进RDL-First和先死扇出Wafer-Level包装(FOWLP)


全面评价选择bondable激光释放材料再分配层(RDL)——首先,先死扇出wafer-level包装(FOWLP)是本文中给出。四个激光释放材料被确定基于他们吸收系数在355海里。此外,所有四个材料具有热稳定性高于350°C和扯下粘附在钛/铜l…»阅读更多

Chip-Last HDFO Interposer-PoP(高密度扇出)


插入器Package-on-Package(流行)技术是开发和大批量生产在过去的几年中对高端手机应用处理器(APs)。这是由于其优势良好的包装设计的灵活性,可控包翘曲在室温(25°C)和高温(260°C),减少了装配制造周期和chip-last美国卫生工程师协会(asse)……»阅读更多

先进的包装的下一波


包装房子是准备下一波的高级包,使新系统级芯片设计的应用程序。这些先进的软件包包括一系列的技术,如2.5 d / 3 d, chiplets,扇出和system-in-package (SiP)。反过来,这些数组提供的组装和集成选项复杂的死在一个先进的方案,提供芯片成本的…»阅读更多

使芯片封装更可靠


包装房子是准备下一波的IC方案,但这些产品必须被证明是可靠的之前纳入系统。这些包包含一些先进技术,如2.5 d / 3 d, chiplets和扇出,但供应商也正在研究更成熟的新版本包类型,如wirebond和引线框架技术。和以前的产品一样,包装…»阅读更多

最好的先进包装是什么选择?


随着传统芯片设计变得更加笨拙和昂贵的每个节点,许多IC厂商正在探索或追求替代方法使用先进的包装。问题是有太多的高级包装选项放在桌子上,和列表中继续成长。此外,每个选项都有几个权衡和挑战,它们仍然是相对昂贵的。…»阅读更多

光刻技术挑战扇出


密度高扇出包路由层较好的转向更复杂的结构,所有这些需要更有能力的光刻设备和其他工具。最新的高密度扇出包迁移向1µm线/空间屏障,这被认为是该行业的一个里程碑。在这些关键尺寸(CDs),扇出将提供更好的每…»阅读更多

2.5 d / 3 d,扇出包


新一波的2.5 d / 3 d,扇出和其他先进集成电路包预计明年涌入市场。新包是针对解决许多相同的和具有挑战性的应用程序在市场上,比如multi-die集成、甚至芯片扩展内存带宽的问题。但是新的、先进的IC方案面临一些技术挑战。和成本仍是一个问题等优点…»阅读更多

日益先进的包装缺陷挑战


目前包装的缺陷检测系统的蒸汽的最新先进的包,促使市场需要新的工具。作为回应,一些厂商推出新缺陷检测系统用于各种先进的软件包,如2.5 d / 3 d技术和扇出。新的缺陷检测系统能够比之前的工具,但是……»阅读更多

有机插入器的返回


有机插入器作为一个选项在先进的包装又卷土重来了,几年后他们首次提出作为一种降低成本的手段在2.5 d multi-die配置。有几个原因有一个新的兴趣这种技术:越来越多的公司正在推动与摩尔定律的限制,继续收缩特性的成本过高……»阅读更多

←旧的文章
Baidu