芯片行业的技术论文摘要:6月5日

chiplets量子计算;模拟和数字SRAM内存计算;llm硬件设计;HBM2 DRAM rowhammer问题;二维材料力学;ALD-oxide半决赛;边信道攻击;3 d内存结构计量。

受欢迎程度

最近添加到半导体工程的新技术论文图书馆:

技术论文 研究机构
编译为量子计算Chiplets 加州大学圣芭芭拉分校和思科量子实验室
Chip-Chat:挑战和机遇在会话的硬件设计 纽约大学和新南威尔士大学
高纵横比的内联计量孔倾斜和中心线用小角度的转变x射线散射 力量Nano和林研究
基准测试和建模的模拟和数字SRAM内存计算
体系结构
KU鲁汶
在HBM2 RowHammer DRAM的实验分析芯片 苏黎世ETH和贝鲁特美国大学
2 d的机制的最新进展
材料
麦吉尔大学,中国科学技术大学和伊利诺伊大学
原子层沉积的纳米氧化物半导体薄膜晶体管:审查和前景 汉阳大学
(M)等待:桥接Microarchitectural和建筑之间的差距方渠道 CISPA亥姆霍兹中心信息安全

更多的阅读
技术论文库回家



留下一个回复


(注意:这个名字会显示公开)

Baidu