挑战先进的节点

半导体工程坐下来讨论finFETs 22纳米FD-SOI以及市场如何细分与玛丽Semeria在未来几年内,公司的首席执行官Leti;产品管理副总裁帕特里克Soheili和企业发展eSilicon;首席执行官保罗Boudre Soitec;副总裁和Subramani Kengeri全球设计解决方案GlobalFoundries。以下是摘录的谈话。

SE:疼痛感受到了生产和设计?

Soheili:我们看到的问题是生态系统的现成的准备知识产权。在ASIC的世界里,客户不能等的创建和验证IP他们所需要的最终产品。这一切已经发生的东西准备好了为了得到ASIC客户加入了战团。这不同于大型专业公司,开发自己的知识产权,但在asic的情况下,他们依赖于生态系统。生态系统依赖于创建和验证的IP。

Kengeri:最大的挑战是我们是否能继续提供力量和性能优势,客户已经习惯了过去30年。我们如何提供?这是该行业的挑战。从根本上说,成为一个更大的问题当大部分CMOS开始放缓从设备的角度来看,从减缓漏东西不缩放。然后是光的一面。与单一的模式,不能够移动到下一个水平,所以我们搬到双模式。所有在20 nm节点,设备有问题的地方。线的后端是一个问题。我们研究了多个选项,两年来我们做了所有的寻路,看看下一步会发生什么。从前端的角度,FD-SOI和finFETs是出色的候选人。他们非常接近,当我们有20个不同的标准,包括生态系统实现和客户采用关注技术方面的可靠性性能可伸缩性。我们得到它。FD-SOI非常接近finFET,但它没有击败finFET的原因是第一代没有比得上finFET性能。所以现在的问题是,我们如何继续为我们的客户提供价值。否则没有搬走,不会有任何增长或创新。

Semeria:全耗尽SOI提供了一个机会来打开一个新时代的物联网和多个应用程序。这是一个很好的时间,因为技术是准备好了,客户那里,有一个窗口进入市场。对于这项技术,这是一个转折点,我们已经从研发到产品。我们是完全支持整个生态系统,我们完全致力于支持22纳米FD-SOI的扩大。

Boudre:显然,我看到的最大挑战是为新一波又一波的增长提供技术的到来。我们谈论的是电动汽车、物联网、移动应用程序和连接。在一天结束的时候,最大的挑战是性能相比这是五年前和功耗。我们显然需要一个低功耗技术市场。但如果你想想我们将应用市场,这些都是消费者应用程序。随着消费市场,是成本的一个重要问题。花了几年的行业认识到finFET不会使物联网,也不会使低成本和medium-cost移动应用程序。

SE:但这一切取决于你如何定义物联网,对吧?物联网就是一切从边缘设备到云,和之间的一切联系在一起。

Boudre:同意了。并从系统的角度来看,finFET应用程序确实会由大数据驱动的。

SE:在边缘节点上,我们一直听说主流是55纳米甚至更高。我们是怎么突然开始22纳米FD-SOI ?如果一切是大数据finFETs,中间是什么?

Kengeri:这不是一个技术,符合整个链。在高端需要更多的处理,市场可以支持finFETs保险费。它将不惜任何代价继续为驱动力,这是好的。你下来向边缘的设备,也就是我们所说的传感器成本和电力将成为关键。性能是第二。客户会选择最优节点,根据他们在物联网系统。40 nm是物联网客户会去的地方,还有很多原因that-RF能力,非易失性平面节点的可用性,这是相当划算的。但如果有另一个节点,可以做得更好比40 nm和所有这些特性和较低的权力,他们就会去。在过去的几个月里,我们已经跟我们的客户和他们非常兴奋22 nm FD-SOI。

Semeria:我同意,因为全耗尽SOI 28 nm和22纳米可以被认为是一个平台。这是兼容射频功能,光子学,MEMS, NEMs (nanoelectromechanical设备),所以我们能够在这个平台上把新功能。这是一种利用整个系统和低成本解决许多应用程序。

Kengeri:每个晶体管和行业趋势正从成本成本函数。你越能集成在单个节点上,它会越好。

Soheili:市场分割得多。有一个重要的55岁和40 nm。NVM, BCD(双极型CMOS DMOS结构),射频,没有改善在某些技术,还有应用程序从一个成本或大小或权力的观点将推动一个与另一个。22纳米或28 nm FD-SOI会成功吗?绝对,因为他们有特定的优势。多大,取决于制造将在正确的时间做好准备。它必须在正确的时间上市,这取决于市场的其他选项部署。时间会告诉我们。

SE:这些选项可以从其他口味的28 nm的可用性,对吧?

Soheili:是的。有五种口味的28 nm竞争的今天,通过分散或压倒性的市场,他们有巨大的制造经验。有一个强大的生态系统,遵循它。所以选项很多,优势在纸上为22纳米FD-SOI是奇妙的。问题是谁能最快进入市场而实现的优点。

SE:但几年前28 nm FD-SOI出来时,有很多谈论的电力数据和合理的性能。是什么改变了这不是到位呢?

Boudre:什么改变是行业花了两年试图打开finFETs以正确的速度和成本。今天,每个人都同意这是困难和昂贵的。真的位置finFETs为特定应用程序,两年前我们没有准备承认。两年前我们在想,那将是下一个节点后28 nm,因为20海里没有工作得很好。所以该行业被认为是自然的下一步。这不仅仅是EUV。这是finFETs周围的生态系统的复杂性。我们需要finFETs。但这是我们第一次看到一个新的平台上实现两个节点已经给一个机会为新产品在未来十年还没有达到市场的应用程序。这些是新的应用程序。 You can talk to a lot of CEOs in Silicon Valley. If these applications can get into the supply chain, they will go for it because they need low power and they need to stay in a stable mode in terms of IP, their designs, and their ecosystem. It brings what was not here two years ago, when we all had the convictions that finFETs would be faster, cheaper, and easier to get done.

Kengeri:第一代FD-SOI没有性能。这是一个问题。现在我们有了第二代,就是能与finFETs竞争。真正改变的关键。

SE:你真的要与finFETs,吗?这是另一片市场。

Kengeri:FinFETs将有他们的地方。

Boudre:是的,改变的是,两年前这是没有准备好。

Kengeri:我们的目标是低端手机,衣物和其他一切。FinFET溢价cpu和高端智能手机。一切将FD-SOI。我们也相信纯粹铸造支持这个,这个市场是非常重要的。之前的不一定是单纯的铸造厂。将会有几人。我们也跑到物理。FinFETs有更高的电容。有一个真正的技术原因FD-SOI正在引起人们的关注。大多数的行业是28 nm。 The early adopters have moved to 14nm. The rest are still trying to figure out what is the best node to move to. There was no choice other than finFETs until now. So all of those things are coming together. That’s really the inflection point.

Soheili:我们已经参与FD-SOI自2013年以来,我们一直为FD-SOI设计技术。1号的担忧已经和制造能力。croll德累斯顿和韩国,扩大其制造业的基地是一个巨大的变化。

SE:需要第二个来源如何?

Soheili:这是可取的但不是必需的。从我们的角度来看,我们把客户变成FD-SOI担心这是一个研发制造工厂,所以他们怎么做卷?