了解一种新的记忆测试系统，可以测量STT-MRAM的每个细胞的开关电流。该系统是在千兆级内存测试系统中实现的。
作者:(Advantest)田村亮、森Ibuki Watanabe直吉;(日本东北大学)小池博树，恩多哲夫。
由于STTMRAM单元的开关是基于量子力学的概率现象，因此未来STT-MRAM芯片量产需要一种支持STT-MRAM芯片测量误差位分析及其模式分类的新型内存测试系统。为了满足这一要求，我们成功地在千兆级内存测试系统上开发了一种新型电流测量模块，可以以纳秒级和微安级的分辨率测量每个比特的时域开关电流。此外，我们还展示了我们开发的内存测试系统在世界上首次检测到所制造的STT-MRAM芯片中的所有错误位，并根据每个错误位的开关特性对错误位模式进行分类。这种新型的存储测试系统具有与单比特测量设备相同水平的精确和高速时域电流测量功能，有望加速STT-MRAM的研发和量产以及其他应用，如ReRAM和PCM。
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