中国的DRAM的努力;铸造排名;模拟企业。
中国的DRAM的努力
两个内存供应商来自中国,清华Unigroup和昌鑫内存技术各自努力,披露更多细节进入DRAM竞技场。
报道,清华Unigroup想进入DRAM行业。现在,中国公司已获得土地建立一个新的DRAM芯片厂。该公司最近与重庆市政府签署了一项协议,建立一个研发中心和一个DRAM芯片厂。这些设施的建设,位于重庆的两江新区,计划在2019年底开始,在2021年完成,一份报告显示从TrendForce研究公司。
不清楚的地方清华将获得其DRAM技术,但是这并不能阻止中国。”TrendForce认为这次事件是中国的另一个迹象的坚定的决心实现自给自足的内存产品的供应,”该公司表示。“中美贸易争端不断升级的黑名单JHICC由美国政府迫使中国政府加倍努力来建立一个国内DRAM行业。”
中国DRAM希望JHICC,去年破产。2018年,美国限制出口JHICC的设备和软件。然后,联华电子,JHICC的技术合作伙伴,退出该项目。
其他人则有更大的成功。昌鑫内存技术,原名Innotron,准备22纳米后发展出的新300 mm晶圆厂在中国。该公司最近透露,这是基于技术得到发展后发展出奇梦达。奇梦达,DRAM厂商在2011年破产。
从奇梦达昌内存技术购买数据库。奇梦达中国DRAM厂商将利用埋wordline和多层电容器技术以发展后发展出。这反过来可能会给中国公司知识产权保护。“我们已经能够访问数据库技术,“根据昌官员内存技术。“发展这项技术的正确方法使用奇梦达埋wordline +多层电容器技术”。
芯片制造商
TrendForce已经发布了排名为铸造厂商在第三季度。基于销售,台积电,三星,GlobalFoundries再次将第一、第二和第三位,分别根据公司。联华电子在第四名的位置。或许最好的消息就是:半导体组件的全球需求将在今年下半年与上半年相比明显强由于传统旺季的影响,”该公司表示。
公司技术已经获得了Micralyne。位于阿尔伯塔省埃德蒙顿,加拿大,Micralyne MEMS铸造。Micralyne具有微流控技术对于生物技术的应用程序,以及在non-silicon-based MEMS功能。
工厂的工具和分析
在一个博客,林的研究提出半导体行业需要的原因加速5 g的时代。林还谈到了3 d NAND和新的内存类型。
以色列的proteanTecs宣布扩大其全球业务有两个美国的新办公室在西部和东部沿海,为其公司总部和更大的设施。
Energetiq的供应商高亮度的宽带光源,举办一场盛大的开幕式在波士顿北部的质量。剪彩仪式将于9月10日。与此同时,爱德华兹最近举行了隆重的开新北美半导体技术中心在晚宴过后,矿石。
测试
国家仪器(NI)和易特驰GmbH是一家说,反垄断当局批准创建的该公司最近发布的合资企业。新公司,易特驰倪系统GmbH & Co . KG将设计预先集成的半实物(边境)仿真系统,帮助客户满足他们的需要在不断发展的汽车行业。合资企业,总部位于德国斯图加特的计划雇佣50人。倪和贱民每个拥有新公司50%的股份。
Teradyne有介绍了UltraFLEXplus,测试人员的UltraFLEX家族的最新成员。测试人员包括Teradyne步伐架构。UltraFLEXplus地址新兴数字测试需求驱动的AI和5 g的变化。
市场研究
300毫米工厂设备支出会慢慢恢复2020年在2019年衰退之后,根据半。2021年,市场会看到一个新的纪录高点,超过600亿美元,仅在2022年再次延迟,根据半。
芯片销售在2019年的最初六个月比去年同期下降了13.9%,最大跌幅的一半2009年上半年以来,根据IHS Markit。全球半导体上半年营收总额为2037亿美元,低于2018年上半年的2366亿美元。第三季度看起来不好。所以,2019年有望成为半导体市场十年来最严重的一年,IHS Markit的预测。
事件
发现即将到来的半导体行业183新利
,包括有光掩模技术& EUV光刻(9月15 - 19)。
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