SRC/NIST封装路线图;CHIPS法案警告;弹性供应链的“Fab 4”联盟，eBeam联盟加入IBM, EUV Tech;芯片收入下降。
半导体研究公司发布临时版本微电子和先进封装技术路线图(MPAT)该公司的目标是在10到15年内实现3D集成和多芯片封装。路线图是开放的意见。MPAT的参与者包括AMD，IBM，英特尔，德州仪器公司，普渡大学，纽约州立大学宾厄姆顿和佐治亚理工学院．它是由国家标准和技术研究所(NIST)。
Imec开了虚拟晶圆厂建模平台在本周的高级光刻+制版会议，量化晶圆厂对环境的影响。imec主要技术人员Emily Gallagher表示:“我们证明，与制造3nm逻辑晶圆相关的范围1和范围2排放中，光刻和蚀刻加在一起占45%(即，分别来自拥有/运营资产和购买能源的排放)。”与物理晶片厂结果一起，该工具可以突出高影响领域，如减少氟化蚀刻气体和水的使用，或最大限度地提高EUV扫描仪的吞吐量。
同样在会议上，eBeam倡议宣布两名新成员，IBM而且EUV科技．与此同时，EUV Tech表示已收到A轮融资由英特尔资本(Intel Capital)牵头。该初创公司生产光化EUV掩膜成像和缺陷审查系统，薄膜测绘和相位测量系统。
白宫和美国商会开放了资金申请规定的条件适用于CHIPS法案申请人。在其他要求中，企业10年内不得在相关国家大幅扩张芯片制造产能。获得奖励的公司还必须致力于实现劳动力多元化，提供负担得起的托儿服务，并分享超额利润。
为了支持CHIPS法案的目标，主教法冠Engenuity它的联盟发布立场书在计划中国家半导体技术中心(NSTC)，确定了在美国实现更具弹性的半导体制造生态系统的关键因素。
与此同时，路透社报道称，由美国主导的第一次视频会议举行“Fab 4”半导体联盟包括台湾、日本和韩国。会议的重点是在2019冠状病毒病中断后提高全球供应链的抵御能力，以及美中贸易限制的影响。
最近的分析证实了全球半导体收入和出货量的下降，其中DRAM首当其冲。Trendforce报告全球DRAM收入在全球范围内，2022年下降了30%以上数据中心CPU收入下降4.4%对比研究。前10大原始设备制造商整体芯片支出减少到2022年将增长7.6%Gartner．
英飞凌科技将收购氮化镓系统这笔交易价值8.3亿美元。英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示:“将GaN系统的代工走廊与英飞凌的内部制造能力相结合，可以实现最大的增长能力，以服务于我们广泛的目标市场加速采用GaN。”
瑞典晶圆制造商，SweGaN，宣布在Linköping建设一个新的高容量epiwafer生产设施。
力量介绍了新的SKYSCAN 2214 CMOS版这是一种基于纳米ct(计算机断层扫描)的3D x射线检测系统，可以使用多达4个探测器检测小到500nm的缺陷。
JCET为多个客户提供两个先进的包装针对辅助和自动驾驶应用优化的4D毫米波雷达HVM解决方案。JCET的专有扇出eWLB解决方案在更薄的毫米波雷达收发芯片封装中提供更低的寄生电阻。具有集成天线的soc最适合其倒装芯片芯片规模封装(FCCSP)方法。
联华电子推出了新的28eHV+平台这是对其行业领先的28nm嵌入式高压(eHV)技术的最新增强，是一种为智能手机、虚拟和增强现实设备以及物联网中使用的下一代显示器提供动力的显示驱动解决方案。该设备提供了一个更小的SRAM位单元，导致更小的整体芯片尺寸。
应用材料介绍了VeritySEM 10系统比传统系统提供更低的着陆能量，最大限度地减少对薄EUV光刻胶的不利影响。
电平发表碳化硅mosfet可靠性和测试的三个新指南。JEP194建立了评估栅极氧化物可靠性的程序，包括随时间变化的介电击穿(TDDB)测试和解释。JEP195解决了碳化硅mosfet特定的现象，称为门开关不稳定，并包括测试和测量例程，以评估参数漂移及其对器件性能的影响。JEP192描述了SiC mosfet栅极电荷的测试方法，该方法考虑了SiC mosfet的独特性能属性。
一个国际研究团队证明了一种由单个分子制成的开关比目前的微芯片开关快3倍到6倍的富勒烯。
新型的光学nanoscopy可以测量半导体中电子动力学的仪器已经由美国的研究人员开发出来加州大学伯克利分校．
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