形状如何影响finFET的翅片形状和BEOL电容设备。
多模式方案,诸如自对准双模式(SADP)和自对准四模式(SAQP)被用来成功地提高半导体器件密度,绕过之前模式密集的物理限制。然而,处理步骤的数量需要在这些模式方案可以直接翻译很难光刻掩模图形最终产品。不幸的是,它不是简单的了解一个给定的光刻胶的形状会影响芯片上完成模式。小的变化在光刻胶的形状可以意外修改最终的模式芯片,由于后续流程步骤光刻的复杂性。
虚拟制造是一种计算机技术进行预测,半导体制造过程的三维建模。虚拟制造允许工程师测试半导体过程变化和过程的可变性在几分钟或几小时,而不是几周或几个月需要使用实际的半导体晶圆测试他们的设计。SEMulator3D是虚拟制造解决方案,可以在复杂的模式下模型过程的可变性计划和流程。
SEMulator3D可用于模型在光刻胶的形状变化的影响最终的模式生产的半导体器件。在这项研究中,我们使用SEMulator3D模型光刻胶的形状如何影响翅片形状和back-end-of-line (BEOL)电容FinFET设备。最后的变化模式获得使用自对准多模式方案预测,侧壁剖面变化的条件下开始光刻胶的形状。
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