与一个更强大的来源,石版家可以使用较不敏感的抵制,不太容易模式崩溃。
由凯瑟琳德比郡
有一段时间了,大多数行业的报道EUV光刻光源集中。正如我的同事们指出,权力来源的局限性主要约束不仅潜在EUV-based设备制造业,但即使在sub-20nm设备和工艺技术的发展。当吞吐量在每小时四个晶圆的社区,学习周期需要很长时间和生产是不可能的。
然而,这并不意味着,解决源电力挑战一定会允许迅速EUV光刻。光刻Stefan玉木Sematech主任指出,其他组件的光刻技术基础设施仍然需要实质性的发展,。
光刻胶设计,,源动力因素紧密地缠绕在一起。与一个更强大的来源,石版家可以使用较不敏感抗拒,通常有更好的耐腐蚀,不易模式崩溃,和通常更兼容的sub-20纳米设备制造业。强大的来源少,抵制灵敏度必须为了实现可接受的吞吐量,这通常意味着其他重要的抵抗特征将会降低。
根据玉木,chemically-amplified EUV拒绝了好分辨率线/空间模式到14日至15日nm半个球场。线宽粗糙度仍然停留在大约5海里,不过,很少或根本没有改善在过去几年中。同样令人担忧,接触孔抵抗,尽管他们取得了3 nm CD均匀性,仍远不及线/空间拒绝敏感。
事实上,作为一个群体从Sematech JSR微显示一个演示在今年的学报先进光刻技术会议,提高CD的参数一致性和景深减少抵制敏感性。chemically-amplified抗拒,光照产生酸,扩散通过抵制和催化de-protection反应呈现抵抗溶于开发人员。增加保护组比率或使用笨重的防护组提高对比度和图像质量,但增加了所需的酸量,使抵制不敏感。同样,减少酸扩散长度提高了图像质量,还降低了灵敏度:每个光子暴露小卷的抗拒。
因为内存设备可能会接触孔的第一层暴露的EUV,可怜的拒绝敏感性和可怜的源动力的结合使设备制造商处于一个艰难的境地。另一方面,接触和通过层可以使用暗场有图案的面具。这些面具不太容易继续瘟疫EUV掩模空白的缺陷:缺陷躺在黑暗的地区不影响掩盖印刷适性。
EUV掩,像EUV光学、Si / Mo多层反射衬底。面具表面缺陷通常可以修理。缺陷一般不能嵌入到多层结构。然而,随着t IMEC Bret和他的同事们显示,可以吸收层模式的镜子来弥补缺陷,一旦发现。精心布置的模式往往隐藏已知缺陷,尤其是在暗场面具。
不过,找到缺陷本身就是一个挑战:镜子缺陷几乎是看不见的扫描电镜检查,只有数量有限的设施可以执行at-wavelength面具空白检验。实际印刷面具是唯一的方法来评估一个特定缺陷的影响。一旦确定了可打印缺陷,玉木说,TEM研究可以识别组成和潜在缺陷的来源。缺陷可以小至10 - 20 nm,必要的TEM样品制备非常困难和Sematech有些独特的功能。
在撰写本文时,毫无疑问,源动力仍然是最关键的障碍EUV介绍。尽管抗拒和面具空白发展令人鼓舞的进展,仍然落后于生产需求。
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