中文 英语
18lickc新利
的意见

抗熔断器OTP的好处

哪个NVM最适合移动支付、物联网和其他应用。

受欢迎程度

一次性可编程存储器(OTP)是一种非易失性存储器(NVM),通常由保险丝(eFuse)和反保险丝组成。OTP内存相对于多时间可编程(MTP)内存(如EEPROM或闪存)的优点是面积更小,没有额外的晶圆处理步骤。因此,对于许多低成本的应用程序,OTP内存被用来取代MTP内存。

但是,eFuse和antifuse在OTP方面也存在一些差异,如编程机制、安全性和功耗等。在编程机制方面,当对薄栅氧化物施加高电压时,通过电短路晶体管的栅极和源来编程防熔断器。相比之下,eFuse的编程方法是在I/O电压下,用高密度电流对金属条或多聚物进行电吹。

由于高密度电流流过狭窄的金属或多聚体,因此熔焊中的低阻金属是通过电迁移(EM)吹制的。骨型布局通常用于eFuse(见下图1)。

kilopass1
图1。一个程序化的聚融合。来源:MA-Tek

在编程操作过程中,eFuse两端宽度较大的区域比eFuse中间宽度较窄的区域具有更好的冷却效果。因此,熔体的吹散部分始终位于熔体中部的窄宽区域。此外,对一个比特进行编程需要一对eFuse布局——一个用于编程,另一个用于差分传感放大器的参考电阻。eFuse只能被编程一次为“1”。如果eFuse在编程后不能被读取为“1”,则编程失败,这意味着yield损失。另一方面,Antifuse可以编程~18次为“1”。如果初始编程后反熔断器不能读取为“1”,则可以反复编程,从而提高了成品率。

在安全性方面,antifuse优于eFuse,因为编程位和非编程位之间没有明显的区别。传统上,在多晶硅栅CMOS逻辑工艺中,聚熔合(poly eFuse)非常流行(图1),EM发生在硅化物层。然而,在新一代高k金属栅极(HKMG) CMOS逻辑工艺中——为了减少MOSFET的泄漏而开发的——没有多晶硅层可用作eFuse。因此,Intel生产的一种不同类型的eFuse被实现,如图2所示的金属1痕迹。

kilopass2
图2所示。由英特尔生产的Westmere/Clarkdale处理器编程的eFuse。来源:Intel Westmere Clarkdale 32nm处理器中eFUSE结构的自定义分析, TechInsights

在图2中,在金属1中形成了四对熔体,并吹出了两个熔体。总共有两个爆炸的聚变管和六个完整的聚变管,以及与底层驱动晶体管的互连。喷喷的部分有不规则的形状,很容易看到。在下面的图3中,在金属2中形成了四对熔体,其中两个熔体被吹散。图4还显示了一对efu。同样,爆炸(或编程)的eFuse很容易被检测到。

kilopass3
图3。在台积电熔铸20nm平面HKMG工艺中编程的熔铸。来源:高通戈壁MDM9235调制解调器20纳米HKMG逻辑详细结构分析,TechInsights。

kilopass4
图4。放大视图的编程台积电电火花。来源:高通戈壁MDM9235调制解调器20纳米HKMG逻辑详细结构分析,TechInsights。

kilopass5
图5。编程的反引信。来源:http://archive.eettaiwan.com/www.eettaiwan.com/emag/1302_15_DC.html, Kilopass。

在图5中,编程了一个防熔断器,但是,与前面示例中的eFuse相比,在横截面或俯视图中没有发现吹坏的部分,并且在电压对比FIB中没有热点。这使得未经授权的用户很难获得存储在反融合存储器中的数据内容。

在功耗方面,与eFuse相比,antifuse在未编程状态下使用更少的功耗。未编程电火花的典型电阻值约为50 ~ 100欧姆,而编程电火花的典型电阻值约为10Kohms ~ 100Kohms。反保险丝则相反。反熔断器的电阻在非编程状态下更高。未编程位的默认值为“0”,因此必须只编程为“1”的位。因此,在eFuse中存储的“0”越多,消耗的电量就越多。相反,反熔断器中存储的“0”越多,消耗的电量就越少。此外,熔断器的待机功率或泄漏量要比反熔断器高得多。

总之,带有防熔断器的OTP内存具有更好的编程产量,更低的未编程位的功耗,以及总体上更高的安全性。因此,带有antifuse的OTP内存比带有eFuse的OTP内存更适合移动支付、物联网(IoT)等应用。



3评论

Stephan韦伯 说:

总结得很好。增加一些电路也会很好。

说:

我想澄清一下这条评论——“另一方面,Antifuse可以被编程~18次,变成一个‘1’。如果在初始编程后反熔断器不能被读取为“1”,那么可以一次又一次地编程,这提高了产量。”对于~18x倍的编程限制的推理是什么?可靠性会超过18倍吗?

迈克维 说:

因为它们是不同的机制,我不认为你可以把它们等同起来,我会用不同的方式来表达——引爆导火索会导致几乎肯定会发生比特翻转。而对OTP单元进行攻击则不是——你可能需要多次攻击它(这对ATE生产系统来说是一个痛苦的过程)。这不是一个优势-这是一个变通的固有可变性在反熔断过程。在推荐的18次电击之后,你可能已经损坏了电池,以至于它永远不会翻转,所以你最好放弃。我猜,18x来自于对许多单元格的描述,以及对编程成功设置(比如说)99.99%的限制。一切都不会丢失-您仍然可以使用内置的备用单元标记故障位置,并在读取OTP时修复它。

留下回复


(注:此名称将公开显示)

Baidu