标签:SADP

工艺流程的影响,扩展,对互连性能变化
通过林的研究——4月26日,2023 -评论:0

虚拟制造是用来评估的性能互联(线,通过电阻,电容,等等)在球兼容EUV单一暴露或SADP为三个不同的流程:单一的波纹,双波纹和semi-damascene(减去金属腐蚀)。过程变化的影响这三个流也调查确定relativ……»阅读更多

寻路靠窗过程建模:先进的DRAM电容器模式评估使用虚拟制造过程窗口
通过Coventor12月- 14,2022 -评论:0

在先进的DRAM,电容器密集模式旨在增加细胞密度。因此,先进的模式方案,如多个litho-etch SADP和SAQP流程可能需要。在本文中,我们系统地评估DRAM电容器孔形成过程,包括SADP SAQP模式,在SEMulator3D使用虚拟制造和统计分析。聚氨酯……»阅读更多

洞察高级DRAM电容器模式:评估使用虚拟制造过程窗口
通过Qingpeng王10月- 20,2022 -评论:0

连续设备扩展,过程窗口变得越来越窄,由于小特征尺寸和更大的处理步骤可变性[1]。半导体发展的一个关键任务在研发阶段是选择一个好的集成方案相对较大的窗口过程。当晶片测试数据是有限的,评估不同的集成方案的过程窗口可以…»阅读更多

高温稳定的自旋对碳材料的先进模式传递应用程序
通过布鲁尔科学- 6月16日,2022 -评论:0

近年来出现了强劲需求自旋对碳(SOC)材料与高温过程兼容。这个要求是使使用高温SOC (HTSOC)材料在集成计划利用化学气相沉积(CVD)和/或原子层沉积(ALD)过程。除了兼容高温沉积过程,planari……»阅读更多

制造业:3月8日
通过马克LaPedus- 08年3月,2021 -评论:0

双光束EUV光刻在最近有先进光刻技术会议,尼康给介绍一个双梁极端紫外线(EUV)光刻技术。还在概念阶段,尼康的所谓EUV投影光学片曝光划线机,或EUV动力机械,是专为1 nm节点。提出了系统的最小分辨率10纳米线……»阅读更多

计量挑战Gate-All-Around
通过马克LaPedus- 4月16日,2020 -评论:3

计量被证明是一个重大挑战的铸造厂工作流程gate-all-around 3纳米场效应晶体管。计量是测量和描述结构的艺术装置。测量和描述结构设备变得更加困难和昂贵的在每一个新节点,并引入新的类型的晶体管是更加困难。电动汽车……»阅读更多

DRAM缩放挑战成长
通过马克LaPedus——11月21日,2019 -评论:5

DRAM制造商正在推进下一阶段的扩展,但它们正面临着几个挑战内存技术接近其物理极限。DRAM是主要用于记忆系统和当今最先进的设备是基于大约18到15 nm流程。DRAM的物理限制是大约10纳米。研发扩展技术,有努力,最终……»阅读更多

下一代光刻技术选择设备
通过马克LaPedus——4月18日,2019 -评论:2

芯片制造商增加极端紫外线(EUV)高级逻辑7纳米光刻技术和/或5海里,但EUV光刻并不是唯一选择在桌子上。一段时间,业界一直致力于各种各样的其他下一代光刻技术,包括新版本的EUV。每种技术都是不同的,针对不同的应用程序。有些人今天,w……»阅读更多

FD-SOI成为主流
通过埃德·斯珀林——7月19日,2018 -评论:0

半导体工程坐下来讨论FD-SOI世界变化的背后是什么,与詹姆斯羊肉、副首席技术官布鲁尔科学先进的半导体制造和企业技术研究员;乔治•Cesana,意法半导体技术营销总监;奥利维尔维特,高级副总裁兼首席技术官在屏幕半导体解决方案;在Soi和卡洛斯·马祖尔首席技术官……»阅读更多

新的模式选项新兴
通过马克LaPedus——4月19日,2018 -评论:1

有几个工厂工具厂商推出下一波的自对准模式技术在转向新设备在10/7nm和超越。应用材料、林研究和电话开发自对准技术是基于各种各样的新方法。最新的方法是自对准模式技术与多色材料计划,这对我们的设计……»阅读更多

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