标签:SADP

更多的光刻/面具挑战(第2部分)
通过马克LaPedus- 4月17日,2018 -评论:3

半导体工程坐下来讨论光刻和格里高利·麦金太尔光掩模技术,先进模式部门主任(getentity id = " 22217 " e_name =“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);董事总经理Regina释放模式技术[getentity id = "……»阅读更多

DSA重返得病的图片
通过马克LaPedus3月- 15,2018 -评论:1

由马克LaPedus和埃德·斯珀林定向自组装(DSA)正在回到模式不断挑战光刻技术在雷达屏幕上。英特尔继续有浓厚的兴趣(gettech id = " 31046 " t_name =“DSA”),而其他芯片制造商正在另一个硬看技术,根据多个业内人士。DSA不像传统[getkc id = " 80 " kc_name = "……»阅读更多

执行官的洞察力:沃利莱茵(2018年3月)
通过布莱恩•贝利- 01年3月,2018 -评论:0

沃利莱茵河,总裁兼首席执行官(getentity id = " 22017 " e_name =“导师,西门子业务”],坐下来与半导体工程讨论范围广泛的工业和技术变化和如何将在未来几年。以下是摘录的谈话。SE:最终市场会发生什么?莱茵:最终市场也许是更令人兴奋的从…»阅读更多

纳米光刻技术讨论:7
通过埃德·斯珀林7月- 20,2017 -评论:2

首席技术官David油炸Coventor,深入未来扩展问题涉及多模式和新的晶体管类型。https://youtu。/ FBnYRAL1xKY相关故事在下一代晶体管Coventor的首席技术官看着新类型的晶体管,越来越多的挑战在未来的流程节点与半导体的发展在中国。更快的时间T…»阅读更多

是什么驱使SADP BEOL变异性?
通过迈克尔Hargrove——5月18日,2017 -评论:0

直到EUV光刻技术成为现实,多个模式技术,如三litho-etch (LELELE),自对准双模式(SADP)和自对准四模式(SAQP)被用于满足严格的模式要求先进的back-end-of-line (BEOL)技术。7纳米技术节点,模式需求包括一个金属距40 nm或更少。这个…»阅读更多

光致抗蚀剂在3 d形状
通过穆斯塔法Akbulut4月- 20,2017 -评论:0

事情时容易集成商面具上的模式,他们最终是他们想要的模式在芯片上。多模式方案,诸如自对准双模式(SADP)和自对准四模式(SAQP)已大大改变了这一切。现在,你的面具只决定的一部分,最后你会得到什么。你只会得到你的最终产品……»阅读更多

了解光刻胶的形状的微小变化多模式产生显著影响
通过Coventor4月- 20,2017 -评论:0

多模式方案,诸如自对准双模式(SADP)和自对准四模式(SAQP)被用来成功地提高半导体器件密度,绕过之前模式密集的物理限制。然而,处理步骤的数量需要在这些模式方案可以使人难以直接翻译光刻掩模图案鳍……»阅读更多

模式问题堆积起来
通过马克LaPedus3月- 20,2017 -评论:4

芯片制造商增加16 nm / 14 nm finFET过程,与10 nm和7海里现在进入早期生产。但在10纳米,芯片制造商正面临着一系列新的问题。而萎缩的特征尺寸的设备到10纳米,7海里,5海里,也许除了使用当前和未来可能的工厂设备,似乎没有一个简单的方法来解决边缘位置误差(EPE)…»阅读更多

与工厂循环次数
通过马克LaPedus2017年2月- 16(-评论:8

从平面设备转向finFETs使芯片制造商能够扩展他们的流程和设备从16 nm / 14 nm和超越,但每个节点的行业面临着几个挑战。成本和技术问题是显而易见的挑战。此外,循环时间关键但不公开的一部分chip-scaling方程还正在增加在每个转折点,为芯片制造商创造更多的焦虑和…»阅读更多

BEOL问题10 nm和7海里(第2部分)
通过埃德·斯珀林- 04年1月,2017 -评论:3

半导体工程坐下来讨论问题的线在前沿和克雷格的孩子节点,高级经理、副主任(getentity id = " 22819 " e_name = " GlobalFoundries”]先进技术开发集成单元;高级技术总监保罗•贝瑟(getentity id = " 22820 "评论=“研究”);首席技术官David炸(getentity id = " 22210 " e_name……»阅读更多

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