微小的变化如何导致更大的问题。
事情时容易集成商面具上的模式,他们最终是他们想要的模式在芯片上。多模式方案,诸如自对准双模式(SADP)和自对准四模式(SAQP)已大大改变了这一切。现在,你的面具只决定的一部分,最后你会得到什么。你只会得到你的最终产品经过一系列的腐蚀和沉积步骤。所以,这对任何人来说都不是简单的图片如何给定芯片光刻胶的形状会影响他们的模式。他们需要分析的所有步骤后光刻了解光刻胶的形状的微小变化将修改他们的模式。
这2月之前,我给介绍光刻胶的形状如何影响翅片形状和back-end-of-line (BEOL)电容SADP流在2017年学报先进光刻技术会议。在我们的演讲,题为“调查的3 d在自对准光刻胶剖面效果通过虚拟制造模式,“我们使用了流程建模平台(SEMulator3D)在某些关键用例来预测最终当开始光刻胶图形侧壁变形模式。
的情况下是鳍模式之一FinFETs。光刻胶的两个组件侧壁,锥角(0°到14°)和粗糙度幅值(0到10 nm),是不同的测试用例创建42。每一种光刻胶侧壁概要情况下用于模式一个笔记本,54-transistor, SRAM阵列。为了确保这些54晶体管足够不同,线边缘粗糙度(l)应用到光刻胶线和2 nm振幅和该种相关长度。
BEOL的情况下,l和侧壁概要文件是应用第二金属层(M2)在一个地区有两个交织在一起的金属线。使用SEMulator3D内置电容的能手,光刻胶的形状变化的影响在电气性能量化。在这种情况下,我们没有使用54个不同的网站在芯片上。相反,我们不同的随机化l通过使用不同的随机种子,从而获得一个统计变化对于一个给定的情况。
在翅片的情况下,模拟显示,抵抗侧壁粗糙度和锥角的增加会导致更多的锥形芯棒,这反过来又降低了鳍宽度CD和恶化CD变异。这导致失控,最后整个晶圆翅片形状。
在金属互连情况下,对侧壁似乎增加了,由于紧缩的间距两个相邻顶头。此外,电容值测量在虚拟制造平台强调增加变异的抵制侧壁概要文件是不同的。这进一步支持结论的翅片形状的例子:增加抵抗概要文件获得的最终形态的可预测性降低自对准多模式方案。
如果你想了解更多关于多模式多小光刻胶的形状的变化可以显著影响产量,请下载我们的原始有先进光刻纸。
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