功耗分析和IR降应该发生作为设计的一部分,而不是验证。
一个问答Moortec首席技术官奥利弗·王。
高级节点上的供应问题是什么?
供应下降,比阈值电压导致供应减少。此外,互联变得更薄和更紧密的在一起,这是推高电阻和电容。
这些问题的影响是什么?
简而言之,它减少了设计之间的边缘,而不是工作。设计的布局,特别是电网,因此仔细的能耗分析和IR降发生作为设计的一部分,而不是作为一个验证。
需要芯片供应监控,然后反过来控制芯片的电源方案,正在增长。动态电压的响应速度方案(dv)需要这样PMIC控制系统可以应对供应会枯萎和相应的“事件”中,不会丢失数据或损坏芯片。也越来越需要高精度监控,使微调的德国焊接学会计划,优化功耗对特定性能概要文件。当然,这种监视和控制计划必须强劲,整体功率控制芯片的岌岌可危。
finFET节点呢?他们有较少的泄漏,对吧?
有众所周知的摇摆与功耗从第一个finFET 28 nm节点。而在28 nm,功耗是由泄漏,finFET的力量往往是由活跃的切换。虽然有明显的好处,有一些微妙的影响,需要考虑。
如果我们考虑热稳定的环境,那么泄漏本质上是一个直流电流,唯一的变化与权力控制的街区。这意味着它是相对简单的分析红外滴在芯片和帐户。然而,随着finFET的减少泄漏带来的有功功率是现在主流更加动态。这使它更难分析红外滴。
解决方案是什么?
根据端系统的复杂性仍然可能设计足够的利润来弥补供应下降,然而,这样做的成本变得过高对于许多应用程序,因为它的叶子太多性能在桌子上除了硅的最角落。
因此它是越来越常见的包括一些供应测量电路芯片内可以允许真正的在线测量红外滴和供应水平在某些点死,在许多情况下,这些信息被用于外部PMICs然后反馈控制。
Moortec如何解决这些需求?
供应保持下来并与FFC流程以及物联网应用上线,人们会想要运行在低得多的供应你最终在一个位置更接近失败。如果你有一个非常大的供应很容易打开和关闭的事情,供给就越难越低开关。
对我们来说最关键的是,我们目前的产品是面向IR降的分析和准确的测量直流供电。所以我们可以做准确的IR降测量差分输入,我们还可以测量地面,同样的问题在逆转。这些事情我们可以提供的产品。
这可以用于监控物资进入核心领域供应电压芯片和准确的措施。IR降,随着门密度的增加和金属的阻抗跟踪供应增加,减少空间一起由于供应减少,我们看到一个更大问题的高级节点。
使用片上核心电压供应监控允许芯片开发商的供给条件真的很喜欢以及与仿真结果。它还可以用于监控事件和扰动(会枯萎供应)。
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