级的芯片行业面临挑战以来OPC的早期。
由阿基》
相同类型的基于物理问题,几十年来一直闹鬼光刻面具已经开始影响写作。指定的越来越小和复杂面具形状光学邻近校正(OPC)现在需要忠实的硅片光刻28 nm-and-below节点提出的增加掩盖热点。面具热点出现在面具上的形状产生偏离足够的每个实例基础形状设计的OPC的负面影响晶片的质量和产量。
目前最大的问题是,因为面具验证方法不国旗这些热点地区,他们通常只昂贵的面具后生产,甚至后晶片生产。面具热点逃离面具店,捕捉这些错误方面的下游是非常昂贵的生产成本和时间。
过去,主要挑战是足够成熟OPC确保晶片上的面具会产生所需的形状。但面具的影响基于物理问题意味着“得到”面具不再总是你指定。名义轮廓可能不是的轮廓,根据形状和上下文的形状。或者,剂量保证金可能更糟的是根据形状和形状的背景下,使得名义轮廓的变化太大。因此,弹性制造变异是贫穷的形状,导致可怜的直线边缘粗糙度(l)和可怜的临界尺寸一致性(CDU)。虽然部分名义轮廓的变化可以通过面具补救过程修正(MPC)——OPC过程中嵌入或面具店-韧性差的问题,必须对制造变异的发现和解决在面具店。
面具热点必须监控形状形状,整个面具。对于今天的面具与复杂形状28 nm-and-below节点,基于仿真的方法可以验证整个面具与每个形状在周边环境中是必需的。
今天的工序方法依赖于面具检查赶上面具错误除了数据处理错误(通过常规XOR-based发现验证)。经常检查机器可以赶上1 d特性差异降到10 nm (4 x维度)。但是,特别是对于二维特性,shape-dependent差异实际面具形状和目标形状的面具小于10纳米不标记当前掩码检验方法。SEM,目标和进一步defect-categorization工具可以精确地检查个人怀疑地区,但全面具检验必须首先国旗这些可疑区域。今天的方法没有这样全面具流程建立。
随着面具非常小,复杂形状变成常规,面具商店需要一种方法来确保面具热点被抓之前影响晶片生产。这个问题只会变得更糟随着最小mask-shape大小低于60 nm,作为边缘布置面具上的所有形状精度要求越来越严格,随着面具形状继续增加复杂性浸,正如line-end-to-line-end精度成为EUV光刻和其他模式的关键技术。
全芯片掩码验证是唯一的方法来防止面具热点离开面具店未被发现。幸运的是,最近出现的通用图形处理单元(GPGPU)加速度,这种广泛的全芯片仿真与实际运行时可以执行。
基于模型的面具验证(MB-MV)今天是现有技术,可以应用这一新兴问题。MB-MV提供全芯片仿真,可以发现面具热点1-2nm精度。GPGPU-accelerated仿真面具使全芯片仿真时间内写面具。MB-MV检查的名义轮廓形状的面具,用其独特的背景。至关重要的是,MB-MV还包括边缘检测,所以它可以检查不仅对名义轮廓,还对弹性制造变化。
半导体行业正面临着一个新时代的面具的挑战与影响整个供应链以来OPC的早期。多波束写作的到来将加速这些挑战的重要性。特别是对于面具热点的类型来自穷人韧性每个变化,我们需要创建一个协作方法在MB-MV阻止面具热点逃离面具店。
阿基》是d2的董事长兼首席执行官,公司总经理eBeam倡议的支持。
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像往常一样,偏执的保密是行业如何向自己的脚。
leading-node面具写作的方方面面+检查被视为ultra-super-top-secret-this-tape-will-self-destruct至关重要。没关系,当你有一个员工一流EE和材料科学家处理EE和女士的问题。但当类似并行出现你不能够吸引高手的软件CS的人你需要解决这个问题,年轻的计算机科学毕业生的学生可能有一个全新的视角甚至不知道问题是什么,因为它是所有绝密。
此后是另一个地方这体现,虽然主要是因为似乎没有人想岩石EDA-oligopoloy船。
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