一项研究验证了一种模拟用于高压力、恶劣环境的电子设计的方法。
以28nm SRAM阵列为例，这项工作提出了一种新颖的可靠性研究，该研究在电路模拟中考虑了外部施加机械应力的影响。该方法可以通过压阻效应预测由应力引起的钻头失效。利用静态噪声裕度模拟了单个SRAM单元的稳定性。最后，通过在蒙特卡罗模拟中包含器件参数的变化来再现整个阵列的行为。计算结果与通过压痕引入机械应力的实验结果吻合较好。这验证了所提出的仿真方法在未来电子产品设计中的应用，特别是在恶劣环境应用中，在这些应用中需要高应力。
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