将下一个大的流程节点尚不清楚。这甚至可能不重要。
在过去的两年里有一些喃喃自语,16/14nm将是短暂的,和10 nm铸造厂的地方会大力投资。现在buzz是10 nm完全可以跳过下一个节点将7海里。毕竟,10 nm只是一个half-node。
或者是吗?答案取决于是谁定义10纳米。16/14nm节点是基于20 nm back-end-of-line过程,除非你碰巧英特尔和IBM,使用真正的14 nm流程14 nm finFETs。和7海里实际上可能更像8或9 nm 14 nm的过程。所以10 nm可能是也可能不是10 nm,取决于这一过程技术的来源,甚至一些这些数字可能会略有变化。真的会有人注意到如果一个过程下滑了一个或两个纳米?
如果这一切听起来令人困惑,应该。虽然有一定的公义在声明谁遵循命名约定,现实情况是,28 nm后不再是一个一致的方式命名节点的线宽、back-end-of-line测量,front-end-of-line测量,或介于两者之间?一些市场营销,这是计量,并且大多数平均公司来验证这是不可能的。
这可能不是很多芯片制造方面的问题。如果一个芯片制造商可以得到权力/性能/成本改进向下一代移动过程的技术,和收获受益于增加密度,这些数字可能并不重要。和EDA和IP供应商早就放弃了这个想法,你可以开发工具或IP为一个铸造过程,并让它工作在另一个铸造的过程在同一节点数量。
但这也引发了一些有趣的问题。考虑到选择一个真正的7纳米芯片或10 nm芯片,将一个系统供应商选择哪一个?为什么他们会选择它呢?
很明显的半导体行业分类问题。它始于铸造厂不能出售20 nm(尽管一些主要移动架构是基于真正的20 nm制程与平面晶体管),因为它太难以控制漏电流。双模式添加到设计过程比值得更多的工作对大多数公司如果泄漏无法控制。所以,而不是重新发明过程,半导体制造商添加finFETs控制泄漏,称之为16 nm或14 nm-except IBM和英特尔,当然,这创造了新的流程与finFETs去。
接下来是任何人的猜测,这可能是受争论。但很明显,标准需要重新定义,或者这个行业需要转移到其他一些指标用于描述一个从另一个供应商的芯片,如计算周期每瓦特或更新版本的MIPS /头猪/ Dhrystone / MFLOPS。节点数据的简单测量进展,但在这一点上比帮助他们更令人困惑。这应该是一个信号,表明需要改变的东西。
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