在幕后看逆光刻,并购活动和下一代光刻技术。
半导体工程坐下来讨论趋势和Linyong光刻、光掩模的业务“狮子座”庞,新的首席产品官和执行副总裁在d2,专注于基于模型的面具数据准备以及其他面具写作技术。以下是摘录的谈话。
SE:在你抵达d2在发光,逆光刻技术的先驱。那是什么?
庞:逆光刻是计算光刻技术领域的核心技术之一。让我们开始与OPC。OPC是你试图扰乱面具模式。所以,你可以打印你想打印。逆光刻,更进一步。基本的想法是,你有你想要的图案印刷在晶片上。然后,我们可以开始从我们所说的目标模式。然后,我们整个光学扫描仪和也抵制发展模式。此外,我们有一个数学模型。所以,我们有一个方法来反向计算是什么面具模式和扫描仪来源。 So, that would give you the pattern fidelity and the best process window.
SE:逆光刻在这个行业呢?
庞:望10 nm节点,EUV不会准备好。然后,您看看其他天然气凝析液。看起来他们也不会让它10纳米。所以你必须依靠基本上是基于193海里浸泡光学光刻技术。你也有多个模式。多个模式将帮助你打印的行间距模式。你也必须减少那些行间距模式,加上接触层。那些逆将层光刻和source-mask优化可以真正帮助,因为这些层不是很常规。他们是最困难的层打印。
SE:看来KLA-Tencor刚刚收购了发光,对吧?
庞:2012年,Synopsys对此收购计算光刻业务从发光。之后,发光开始关注如何帮助面具房子检查和测量模式。我们(发光)称之为业务计算计量和检验。业务只是被KLA-Tencor收购。
SE:所以KLA-Tencor获得了剩余的部分发光。这笔交易已经完成了吗?
庞:已经完成。KLA-Tencor所做的是一个资产购买。他们购买的产品、技术和IP。
SE:你对下一代光刻技术(天然气凝析液)景观?
庞我可能是错的,但它看起来像EUV将缺席10 nm节点。我们都希望EUV进来。然后,您看看其他天然气凝析液多波束等。我希望他们能来做切削层10纳米,但它看起来像有挑战。
SE:你能谈谈面具的复杂性?
庞:在过去,面具模式是单一的模式。你基本上可以用矩形形状组装面具模式。但是现在,形状更复杂。
SE:面具复杂性的一些挑战和解决方案?
庞:展望未来,面具上的模式正变得越来越小。他们越来越复杂。所以容量和数据量,你必须处理在面具数据准备将显著增加。实际上创建了一个挑战,但也是一个机会,特别是对d2来解决这样的问题。例如,基于模型的数据准备。这将改善写作模式的忠诚。与此同时,它可以减少。因此,它可以减少面具写时间。
SE:一段时间以来,业界谈论光刻技术热点。现在,有谈论热点。问题是什么?
庞:有两种类型的热点。一个是平的热点地区。另一个是热点的面具。面具,你需要更复杂的模式,尤其是对辅助功能。他们远小于主要特征。因此,他们创建的热点面具。如果你不照顾它通过增加剂量保证金或做仿真找出什么样的需要使用,然后那些复杂的,尤其是那些小的帮助功能,不会打印正确的面具。如果不打印正确的面具,然后你会得到一个热点在晶片上。所以,换句话说,你需要正确的模式在面具来帮助你得到一个好的过程窗口模式在晶片上。
SE:所以你们提出的背景、d2开拓新市场吗?
庞:我们正在考虑进入新的领域。但在这一刻,我们都在关注我们的现有产品。
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