曲线ILT在EUV光罩中的应用有多广泛?


正如本博客系列的第一部分所讨论的那样,光罩上的曲线形状可以改善工艺窗口。我们的博客系列将继续进行视频小组讨论,讨论曲线形状对EUV光罩(掩模)的好处,以及曲线形状是否会超出目前对热点的使用。我们的小组成员探讨了曲线ILT的问题。»了解更多

调查:eBeam Initiative Luminaries(以前的Perceptions)调查结果


2020年7月对42家不同公司的77位行业知名人士进行的调查显示,到2021年,COVID-19对业务的净影响为中性,其中24%的预测是积极的,20%是消极的。按此浏览调查结果。»了解更多

预测:制造业、设备和公司


有些预测只是一厢情愿的想法,但其中大多数都是深思熟虑的。他们预测不同市场或产品要想成功需要做些什么。这些影响深远的预测可能不会在2018年完全实现,但我们让每个人都有机会在年底注意到他们的预测取得的进展。(参见对2017年的反思:设计、EDA和人…»了解更多

新一代面具作家竞赛开始


随着英特尔/IMS和nuflar这两家厂商在新兴的多波束工具领域争夺一席之地,掩模书写设备业务的竞争日益激烈。去年,英特尔收购了多波束电子束掩模编写设备供应商IMS nanofication,令业界感到意外。同样在去年,IMS(现在是Intel的一部分)开始出货世界上第一个多波束掩模编写器。»了解更多

Photomasks面临的挑战越来越多


《半导体工程》与大日本印刷公司(Dai Nippon Printing)的研究员林直也(Naoya Hayashi)坐下来讨论了光掩膜技术;[getentity id="22817" e_name="Applied Materials"]掩模与TSV蚀刻事业部主要技术人员、首席技术官吴半秋;Weston Sousa, Reticle产品部总经理[getentity id="22876" comment .]»了解更多

模式的巨大变化


[getentity id="22864" comment="D2S"]首席执行官Aki Fujimura接受了《半导体工程》的采访,讨论了10nm及以下的图形问题,包括掩模对齐、GPU加速的需求、EUV对掩模总数的未来影响,以及重新引入曲线形状对设计的意义。SE:图案问题在10nm和7n上得到了很多关注……»了解更多

口罩制造商担忧加剧


领先的光掩模制造商在从14nm节点及更远的节点迁移时面临着众多挑战。掩模制作在至少两个方面的每个节点上变得更具挑战性和昂贵。一方面,掩模制造商必须继续投资于先进节点的传统光学掩模的开发。在另一方面,一些光掩膜供应商正在为可能的ra做准备。»了解更多

1xnm DRAM挑战


在最近的一次活动中,三星公司发表了一篇论文,描述了该公司计划如何将目前的平面dram扩展到20nm及以上。这是一个惊人的壮举。直到最近,大多数工程师都认为dram将在20nm左右停止缩放。相反,三星正在加速生产世界上最先进的dram——一条20纳米芯片生产线——并计划走得更远。美光和SK海力士…»了解更多

2016年预测:半导体、制造和设计


17家公司提交了他们对今年的预测,其中一些公司的预测来自几个人。这是对最近发布的CEO预测的补充。这是未来一年的好观点,特别是因为他们知道,他们将为自己的观点负责,今年,就像去年一样,他们将不得不为自己的观点负责。我们巴厘岛…»了解更多

驯服面具计量


多年来,IC行业一直担心光掩膜的一系列问题。掩模成本是最受关注的问题,但掩模复杂性、写入时间和缺陷检测是光学和EUV掩模的其他关键问题。现在,口罩计量学,即测量口罩上关键参数的科学,正在成为一个新的挑战。在这方面,口罩制造商担心评论家……»了解更多

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