乔治华盛顿大学、Optelligence、麻省理工学院和中佛罗里达大学的研究人员发表了一篇题为“电可编程多层非易失性光子随机存取存储器”的新技术论文。
研究人员展示了“一种基于宽带透明相变材料(Ge2Sb2Se5, GSSe)的多态电编程低损耗非易失性光子存储器”，该材料在非晶态具有超低吸收。在绝缘子上硅平台上演示了一种零静态功率和电编程的多比特P-RAM，具有高达0.2 dB/{\mu}m的高效振幅调制和总0.12 dB的4位存储器的超低插入损耗，与其他基于相变材料的光子存储器相比，其信损比提高了100倍。我们进一步优化了双微加热器的定位，验证了性能的权衡。实验中，我们展示了50万的可循环性测试，展示了这种材料和设备的稳健方法。低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特性，影响了包括神经网络、激光雷达和传感器在内的许多应用。”
找到这里是技术文件．2022年出版。
arXiv: 2203.13337 v5。嘉伟孟，桂亚良，Behrouz Movahhed Nouri, Gelu Comanescu，马晓璇，张一飞，Cosmin-Constantin Popescu, Kang Myungkoo, Mario Miscuglio, Nicola Peserico, Kathleen A. Richardson, Juejun Hu, Hamed Dalir, Volker J. Sorger。
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