离子植入光刻;新的afm;宽禁带半决赛。
离子植入光刻
在最近的一次会议上,加州大学伯克利分校提供更多细节的努力开发多个模式方法使用倾斜离子注入(TII)技术。
TII有点类似今天的自对准双模式(SADP)流程逻辑与记忆。SADP和后续技术,自对准四(SAQP),使芯片制造商扩展石印扩展,但技术是昂贵和费时。
SADP使用光刻一步和额外的沉积和蚀刻步骤定义一个spacer-like特性。然而在TII,离子注入步骤插入流创建小的特性。
“TII可用于模式特性,小如10 nm,”说Tsu-Jae刘、王的台积电特聘教授在加州大学伯克利分校微电子。刘提出技术在最近的细节学报光掩模技术+极端紫外线光刻2017会议。
这项技术可以按比例缩小到10纳米半个球场。TII双重检测模式的成本是大约60%的SADP的成本,根据研究人员。
在最近一期的硅半导体加州大学伯克利分校概述了流程步骤TII。结合的工作Axcelis技术。
第一个步骤是SADP相似。最初,掩模层沉积在衬底上,紧随其后的是一个芯层和抵制,根据加州大学伯克利分校。就像SADP,结构图案蚀刻,,反过来,小芯棒形式。与SADP,然后插入一个离子注入过程TII流。
然后经历一个双芯棒结构植入过程。与离子的离子注入机的掩模层积极倾斜15度角,根据研究人员。然后,第二个植入是实现负倾角。植入材料被使用腐蚀。
芯片设计技术开辟了新的可能性。一般来说,离子注入是一种成熟和简单的过程。“TII改善低量和中期检测频率线边缘粗糙度,”刘说。
新afm
的国家标准与技术研究院(NIST)有设计了一种新的原子力显微镜(AFM)可用于化学成分和热导率测量在纳米尺度上。
用于计量和其他应用程序,afm利用一个小提示,看着在埃级的表面结构。
NIST,与此同时,设计了一个新的AFM探针,重一万亿克,达到一个高的时间分辨率。研究人员综合调查与光学谐振器。然后,他们用一种光热光谱分析技术结合AFM诱导共振(PTIR)。PTIR使用红外线检查材料的成分。
说明一个新的原子力显微镜(来源:NIST)
组合AFM-PTIR系统可以同时测量导热系数和化学成分的结构和材料。与新AFM-PTIR系统,研究人员观察了一类微晶核或称为有机框架(mof)的微小毛孔。财政部是激烈的光脉冲。研究然后记录多长时间取了财政部晶体冷却并返回到原来的大小。
在实验中,AFM-PTIR系统可以记录一个位移小一米的1000000000000,这发生在10/1000000000秒。
宽禁带半决赛
的能源部的高级研究项目署能源(arpa - e)最近宣布的3000万美元对新21个项目的资助。
所谓的项目部分机构的创建创新和可靠的电路使用的拓扑结构和半导体(电路)计划。电路项目团队将加速发展的一个新类的电力转换器。
电源转换器将基于宽禁带半导体技术(银行),使用碳化硅(SiC)等材料或氮化镓(GaN)。“硬件建设与世行集团设备有可能成为更小、更轻、更节能,与应用程序在有价值的行业包括交通、信息技术、网格、和消费电子产品,”Eric Rohlfing arpa - e代理主任说。“从电路项目发展可能导致超快的一天,紧凑的电动车充电器、更高效的船舶推进系统,和轻,空气动力的飞机可以携带更多的乘客用更少的燃料。”
|
|
|
|
|
|
|
|
伟大的文章,一个好的路径找到替代的未来光刻…。