纳米结构的打印机;MEMS腐蚀;MacEtch。
纳米结构的打印机
使用电子束光刻、反应离子刻蚀技术,新加坡的科学、技术和研究机构(* *)开发了一种新的高分辨率彩色吗纳米结构打印系统。
打印机使硅制成的纳米结构。它打印与各种颜色的微小结构。在未来,研究人员希望奈米结构打印机能从实验室搬到桌面设备。该系统有一天使微型显示、数据存储和安全打印识别假药。
打印机使用电子束光刻和蚀刻。的技术,研究人员产生微小的硅磁盘。磁盘130 nm 70纳米氮化硅层。氮化硅作为抗反射涂层。
一个表面用细小的硅纳米结构的示意图。(来源:* *)
乔尔·杨,研究员从* *,说:“我们一直致力于超高分辨率彩色印刷在过去的五年,现在我们已经解决了的问题有限的色彩饱和度。
”理想的颜色反射的一个重要要求是满足Kerker条件,在入射光激发磁场和电偶极子在硅粒子的粒子散射光完全在一个方向上,”杨解释说。“在自由空间,粒子的均匀环境允许Kerker条件得到满足。衬底通常会休息空间对称性,但如果衬底并不能反映,相当于通过自由空间光传播。”
MEMS腐蚀
另一方面,* *设计了一个新的等离子体蚀刻过程微机电系统(MEMS)。
* *已经开发了一种两步等离子体蚀刻过程,产生通过以最小的尺寸下降到1.5微米。它还允许光滑的侧壁与70度左右的角度。
MEMS在许多应用程序中使用,但是有挑战的创建通过锥形侧壁在5微米或更少。一个方法,它使用侧壁聚合,是有问题的。在这种方法中,通过缩小的底部的宽度,根据* *。
还有其他的方法。例如,一个可以一个光刻胶配置文件转移到一个蚀刻层。这就限制了通过的最大深度,根据组织。
作为回应,* *已经开发了一种新的两步过程使用电感耦合等离子体反应离子蚀刻工具。第一步修改光刻胶概要文件。概要文件从一个垂直变成一个锥形概要文件使用Ar / O2 / CF4等离子体,根据研究人员。
锥形接触开放新的两步等离子蚀刻过程臆造出来的。(©2017年IEEE。经许可转载,从裁判1,* *)
然后,一个氧化腐蚀过程与侧壁聚合。这是在C4F8 / H2-based等离子体。“MEMS在电子产品小型化的趋势,与设备减少规模从几十微米到1微米或更少,”Vladimir Bliznetsov说,研究员从* *的微电子学研究所(IME)。“但技术用于生产高级金属接触设备这样的微观维度是昂贵的和不可靠的。
“(* *),我们结合两种效应通常在腐蚀过程中有害——加速角落溅射和侧壁聚合,“Bliznetsov说。“侧壁角的精确控制已经使用在许多应用程序中,和我们现在计划制造功能性磁记忆细胞,需要磁性材料之柱侧壁有一个特定的角度。”
MacEtch
的罗切斯特理工学院(RIT)把一个新的转折吗逆metal-assisted化学腐蚀或I-MacEtch过程。
罗切斯特理工学院的航拍已经I-MacEtch III-V化合物称为indium-gallium-phosphide (InGaP)。应用包括光学、量子计算、半导体和太阳能电池。
腐蚀,流程步骤,可去除材料的晶片来创建一个设备的特点,分为两个categories-wet干燥。湿蚀刻使用液体化学品去除材料。干蚀刻,两个市场的更大,离子轰击在一个表面上是去除材料。
I-MacEtch并不新鲜。这是一种湿法蚀刻金属下发生。这项技术已被用于处理硅。最近,行业应用技术寻找一系列III-V元素。
结合I-MacEtch用金材料,罗切斯特理工学院的航拍设计了一种制造暂停InGaP nanofoils可调厚度。无掺杂的腐蚀率、p型和n型InGaP是9.7∼∼8.7∼8.8 nm /分钟,分别根据罗切斯特理工学院的航拍。
这个过程有一些优势传统的腐蚀方法。“小说是关于我们的工作是第一次我们看应用I-MacEtch indium-gallium-phosphide材料处理。I-MacEtch替代两种传统的方法,这种技术被用于材料一直探索的领域,但相当有限,“微系统工程系助理教授Parsian穆赫辛尼经常说罗切斯特理工学院的航拍的凯特·格里森工程学院。
“我们使用一个简单的台式设置和最后非常相似的结构;事实上,一个人可以认为它们是高质量的结构相比,我们可以生成与RIE一小部分的成本和更少的时间,更少的步骤,没有更高的温度条件或昂贵的仪器,”穆赫辛尼经常说。
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