甘受信任的铸造;钻石结合;高密度原文如此。
甘受信任的铸造
HRL实验室——研发风险之间的波音公司和通用汽车(General Motors)已经启动了新铸造服务用于先进的毫米波(mmWave)出(GaN)技术的应用程序。
HRL的过程,称为T3-GaN,是一种高电子迁移率晶体管技术。它将使制造GaN-based单片微波集成电路(MMICs)的应用范围,比如下一代高速率无线通信和高分辨率雷达成像。
休斯研究有经验在设计MMICs从超高频mmWave范围。这包括低噪声放大器、功率放大器、混频器开关、衰减器和相移。它也有专业知识在包装MMICs制作的。
休斯研究过程氮化镓晶片在一个10000平方英尺的ISO类4洁净室。铸造服务,这是一个美国国防部可信的铸造,很快就会开始开放申购阶段为客户提供验证美国政府最终用途。
外延生长是积分HRL实验室的T3 GaN铸造服务。(来源:HRL实验室)
客户不希望执行自定义MMIC设计本身,HRL提供相关T3-GaN MMIC设计服务美国政府客户。“符合条件的客户将能够进入我们的世界一流的设计,先进的毫米波T3-GaN制造过程和接收定制,定制电路的具体应用价格远低于一个专用铸造运行,”肖恩·伯纳姆说,HRL科学家负责GaN铸造服务。“他们将访问流程设计工具,它已被用来展示世界纪录功率放大器和低噪声放大器的性能。”
钻石结合
富士通开发了该公司声称是什么吗世界上第一个技术结合单晶金刚石的碳化硅(SiC)底物在室温下。
这种技术用于在设备基于大功率散热应用氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)过程。这反过来将加强气象雷达和无线通信的性能。
高频GaN-HEMT功率放大器利用碳化硅衬底。GaN-HEMT设备用于远程无线应用程序,包括雷达和无线通信。他们也将被用于5 g millimeter-band移动通信协议。
在GaN-HEMT安培,热分散到碳化硅衬底。然后,散热器的热量带走。这个问题?SiC导热系数相对较高,但产业需要一个材料更好的导热系数更高的功率输出的应用程序。
传统GaN-HEMT功率放大器的结构(来源:富士通)
一个解决方案是单晶金刚石,几乎5倍SiC的导热系数。在金刚石应用程序中,许多使用氩束用于去除材料中的杂质。但是这可能造成损害从表面上看,这削弱了粘接强度。
防止氩束金刚石表面形成一层受损,富士通和富士通实验室已经开发出一种新技术。技术保护与金属薄膜表面暴露在前梁。金属薄膜的厚度举行10 nm或更少。反过来,这提高了粘接强度。它还使单晶钻石是在室温下保税GaN-HEMT碳化硅衬底。
GaN-HEMT功率放大器的结构与保税钻石。(来源:富士通)
使用这种技术,GaN-HEMT功率放大器发射器可以增加雷达的可观测范围的1.5倍。然后,当测试,SiC /金刚石界面被发现有一个热阻低6.7×换m2K / W(每瓦平方米开尔文)。在模拟中,技术将减少200 w-class设备61%的热阻。
高密度原文如此
使用芯片集成和包装技术,三菱电机开发了一种6.5 kv完整的碳化硅电力半导体模块。该公司声称这项技术世界上最高的功率密度在额定功率半导体模块从1.7至6.5 kv。
芯片面积减少由于集成一个MOSFET和二极管在单个芯片上。它还使用芯片焊接技术方案。三菱电机预计模块导致更小、更节能的高压铁路和电力系统的电力设备。
6.5 kV full-SiC电力半导体模块的原型。(来源:三菱电机)
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