一氧化碳芯片;艰难的纳米复合材料;氮化镓。
一氧化碳的芯片
二维(2 d)材料研发实验室中日益活跃。二维材料可以使一个新类的场效应晶体管(fet),但是技术预计不会出现直到未来十年内的某一时刻。
二维材料包括石墨烯、氮化硼和过渡金属dichalcogenides (tmd)。一个TMD、钼联硒化物(监理),在市场上获得利益。
的犹他大学与此同时,已经发现了一种新的二维材料吗一氧化锡(SnO)。SnO锡和氧结合。在实验室中,研究人员设计了一个SnO场效应晶体管(FET)。
迄今为止,石墨、二硫化钼和其他二维材料只允许n型的运动,或消极,电子,根据犹他州大学的研究人员。SnO是世界上第一个稳定的p型二维材料,根据研究人员。
反过来,这可能会加速发展的2 d - base市场场效应晶体管。“现在我们有我们有p型二维半导体和n型二维半导体、“Ashutosh女子说,材料科学和工程学副教授犹他大学在一份声明中说。“现在事情会更快地前进。”
在实验室中,研究人员开始与硅衬底。然后,他们形成的SnO材料分层技术使用脉冲激光沉积技术。因此,场效应晶体管SnO渠道是捏造的。这些场效应晶体管显示p沟道传导,机动性从0.05到1.9厘米2 V−1−1。
新的和困难的纳米复合材料
的汉堡大学的技术,汉堡大学,亥姆霍兹中心吉和谜底合成一个新的和非常努力的纳米复合材料。
材料是基于氧化铁纳米粒子在超级晶体结构。这些材料可用于填补龋齿,制造业观察病例和其他应用程序。
研究人员设计了一个自组装制造技术。流中,陶瓷氧化铁纳米颗粒沉积在一个常规数组中。这是通过使用有机油酸。酸渗入到纳米粒子之间的狭窄的缝隙。反过来,这把他们连接在一起
形象的氧化铁纳米颗粒,沉浸在油酸。(来源:TUHH)
与此过程中,研究人员设计了近球形的氧化铁纳米粒子超晶体。反过来,这导致了发展纳米复合材料的弯曲模量114 GPa, 4 GPa的硬度,强度630 MPa,据研究人员。
的成键特性油酸作为粘合剂。焊接过程使用光谱系统观察德意志Elektronen-Synchrotron的研究中心亥姆霍兹联合会。“我们的测量表明,油酸分子在热处理过程中并形成额外的交联,”安德烈亚斯Stierle说,一个科学家谜底,该机构的网站上。“这个重要的发现可以作为成功的基础建模这种新材料的机械性能。”
DESY-NanoLab超高真空室,进行了光谱分析。(来源:谜底,Heiner Muller-Elsner)
使氮化镓
Veeco仪器已经签署了联合开发项目协议与Imec。
高效的合作预计将加速发展,氮化镓(GaN)为基础,电力电子器件用epi氮化镓晶片。这是使用Veeco创建推动电力GaN金属系统。Imec已经演示了氮化镓层均匀性和运行的可重复性与Veeco推动系统,导致改善电源设备产量。
“我们的工业关系的框架内项目GaN-on-Si, Veeco和Imec过去四年合作改善epi氮化镓层沉积在硅晶片基板质量,“鲁迪Cartuyvels说,智能系统的高级副总裁,在Imec能源技术。“最终目标是产生新一代的高效电力开关设备。我们已经设置了非常高的氮化镓2016年设备产量和可靠性目标,我们期待着与Veeco合作来实现这些目标。”
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