印刷的头发;2 d物质场效应晶体管;黑磷芯片。
印刷的头发
采用低成本的,3 d打印技术,卡内基梅隆大学已经找到了一种方法生产发丝和纤维。
打印机生产塑料头发链链。大约需要20 - 25分钟生成头发10平方毫米。一个视频可以看到这里。
3 d印制的头发(照片:卡内基梅隆大学)
头发可以用熔融沉积成型(FDM)打印机。在这个过程中,一个塑料丝经过激烈的喷嘴。喷嘴产生熔料进入模式的字符串。FDM打印机便宜,成本约300美元。
二维材料场效应晶体管
过渡金属dichalcogenide (TMD)技术是一种二维材料中日益活跃的研发实验室。
tmd有非凡的电子、光学和力学性能。一个TMD,二硫化钼(监理),也许是最关注。在实验室里,几所大学和研究机构正在开发未来的设备称为二硫化钼场效应晶体管。
在最近的IEEE国际电子设备会议(IEDM)在华盛顿特区,洛桑联邦理工(EPFL)和印度理工学院(IIT)放一个新的旋转技术。研究人员设计了二硫化钼射频晶体管与门的长度在70纳米和40 nm。这项技术可以用于未来的二维半导体柔性和刚性基板。
“我们(达到)的电压增益截止频率50 GHz trilayer二硫化钼的场效应晶体管70 nm门长度,“据IEDM的纸。“为了降低接触电阻,提高我们在射频设备的属性范围,我们推出了‘edge-contacted trilayer二硫化钼RF-FETs注入。通过这种方法我们提高我们的设备的性能的值英尺= 25 GHz, fMAX = 16兆赫和Av = 45 GHz trilayer二硫化钼。”
二硫化钼的射频设备、二硫化钼在硅衬底材料剥落了。然后,接触者使用电子束光刻图案。这一步后,70 nm厚金电极沉积。“这是紧随其后的是一个退火步骤在200°C,从而消除抵制残留,降低接触电阻,”根据。
“原子层沉积(ALD)是用于存款20 nm厚层HfO2 (a) high-κ闸极介电层。当地最高盖茨控制当前使用另一个电子束光刻技术制造的两个分支的步骤之后,10 nm的蒸发/ 50 nm的Cr /非盟,“根据纸。“为了提高载波注入,在某些设备我们还模式二硫化钼的接触面积削减通过引入,目的是增加的总长度下的二硫化钼边缘金属电极”。
黑磷芯片
另一个TMD, phosphorene或黑色磷(BP),也是一个很有前途的技术。这种2 d材料直接带隙和高电子迁移率。
然而,到目前为止,英国石油设备模拟一直局限于双栅结构。“此外,由于弱范德瓦尔就是secu * tanu减去vdW()部队在BP层,个人的静电势为厚层BP可能不同(a)单上面门设备可能影响泄漏电流,”最近的一篇论文显示新加坡国立大学和东北大学。
事实上,新加坡国立大学和东北大学可能在舞台上发现了一个新的突破。研究人员设计了一个few-layer BP与7纳米通道场效应晶体管。他们调查的设备性能few-layer英国石油公司基于两场效应晶体管结构single-top-gate设备结构MOSFET和肖特基势垒(某人)。
“我们的研究结果表明,性能的single-top-gate单层BP MOSFET具有最佳性能,而且降解随着层数的增加,降低了对当前(离子)和增加的亚阈值斜率(SS),由于弱层间相互作用导致的低效的闸门控制BP层远离门口,“根据纸,在IEDM。
“此外,某人场效应晶体管显示类似的性能不同BP厚度的某人更有效减少电流断开状态。最后,声学声子散射包括单层BP MOSFET,表明减少42%离子由于运营商7海里背散射沟道场效应晶体管,”根据。
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