文摘:
业界正在对电阻式随机存取存储器(rram)进行原型化和商业化。不幸的是，RRAM设备引入了新的缺陷和故障。因此，迫切需要高质量的测试解决方案。基于硅的测量，本文确定了一种新的RRAM特有故障——间歇未定义状态故障(IUSF);该故障导致RRAM设备间歇性地将其开关机制从双极切换到互补开关，导致未定义状态故障。首先，我们通过分析RRAM设备来表征IUSF，并证明单个RRAM设备可以遭受高达1.068%的开关周期的IUSF;我们将IUSF与两个缺陷联系起来:盖层掺杂和过成形。这清楚地表明了检测这一故障的重要性。其次，我们开发了一个设备感知缺陷模型，该模型准确描述了这些缺陷的物理行为，并对IUSF的行为及其检测提供了基本的见解。第三，我们通过应用设备感知缺陷模型进行故障建模，并将结果用于开发高质量的IUSF测试解决方案。 The contributions in this work improve the overall RRAM test quality, which enables mass commercialization of RRAMs.”
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M. Fieback, G. C. Medeiros, A. Gebregiorgis, H. Aziza, M. Taouil和S. Hamdioui，“rram中的间歇性未定义状态故障”，2021年IEEE欧洲测试研讨会(ETS)， 2021年，pp. 1-6, doi: 10.1109/ETS50041.2021.9465401。
国际工研院几年前就发现了这一点;它不是间歇性的，但可以在特定的SET条件下复制。同样，解也是一个合适的操作，很容易找到。