使用gpu的推动者曲线逆光刻技术,和其他方法在可接受的运行时产生面具的形状。
周转时间(乙)光掩模制造商一直在过程越来越小的节点,增加报道的eBeam倡议面具制造商调查,所以重要的是要看的影响曲线面具答。在第六部分我们的博客系列曲线面具,阿基》d2探索这个问题的名人在行业中视频小组讨论。Ezequiel罗素在他的反应,从微米技术反映了管理增加运行时由于较小的几何图形和更复杂的光学邻近校正(OPC)通过添加更多的马力-意义更大更多的CPU和分配CPU的农场。他看到一个新趋势使用gpu作为曲线逆光刻技术的推动者(ILT)在可接受的运行时产生面具的形状。
丹平彭从台积电提醒我们,今天的多波束面具作家为常数写乘以无论多么复杂的面具的形状,包括曲线的形状。想了解更多关于这些工作你可以参考第三视频我们博客的面具系列曲线形状。他还相信,这个行业是使用gpu的阈值曲线进行,非常接近一个实用的解决方案,不增加乙相比传统的OPC。
平Nakayamada NuFlare技术提出了一种改进的数据处理流程后OPC /教师使用多波束面具作家。如果基于模型的掩模过程修正(MB-MPC)移动“内联”面具作家如图1所示,乙可以改善。阿基》然后问问题——EUV掩的答挑战变得更糟吗?我们的小组成员一致认为,数据量会增加。提出一些想法应对影响视频中,所以请注意这个短摘录听听小组成员不得不说。
图1:NuFlare技术的多波束面具作家基于模型数据处理流程与内联面具过程校正(MB-MPC)改善答。
每年,eBeam倡议进行调查形成半导体行业的主要趋势。我们现在正在研究2021年的调查,并将结果在2021年学报光掩模技术和EUV会议9月。你可以看的全部90分钟的小组讨论2020年的调查结果在这里。
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