寻找新的维度的创新

当公司宣布一个重要的战略转移和重组,如旋转远离7海里FinFET技术开发,这是可以理解的,混乱,不确定性和可能出现的误解。

缓解这些问题的最好办法是看客观情境:对芯片的汽车的需求,物联网、移动和数据中心/无线基础设施市场的强劲增长。利用现有,开辟了许多新的机遇,证明通过裁剪技术,或区别,他们专门为这些市场。此外,许多潜在客户在这些领域创业或非传统的公司可以受益于不同的服务。步进了非常昂贵的FinFET缩放跑步机允许更好的追求这些机会。

加里·巴顿博士,GlobalFoundries的首席技术官和高级副总裁全球研发、解释这些行业动态和GF的技术战略主题讨论最近的全球半导体联盟(GSA)硅峰会东2018论坛在萨拉托加温泉市,纽约。我和他坐下来之后,学习更多的知识。

加里Dagastine:几十年的电子产品依赖于晶体管的进展较小的增加速度和处理能力的集成电路。改变了什么?

加里·巴顿:比例仍有芯片用于高性能计算,但其他地方的好处能得到遵循摩尔定律和扩展升级成本递减。不过,这并不意味着创新完成。好消息是,现有技术现在如此强大,通过添加新特性,结合他们在不同的方面,新的架构和计算的方法是可能的。真正发生的是一个正在发生转变,从更多的行业或特定领域的通用计算方法。

维度的创新:创新是转向的创建为前缘分化特性

Dagastine:你利用这种转变如何?

巴顿:非常成功,因为已经大部分收入来自差异化产品。我们所说的四个支柱支持我们所做的一切都是我们的社,FinFET、射频和力量/ analog-mixed-signal (AMS)技术。

我们都不会技术是当今power-sensitive专用应用程序,提供活动和备用电源但密度低和性能需要。它提供了无与伦比的射频性能不间断连接,低延迟,和更高的数据速率来帮助使RF-driven物联网成为现实。有很多感兴趣的物联网从客户设计芯片,特别是物联网将将在未来几年从WiFi RF-enabled。总体我们将有大约20都不会生产tapeouts,今年,我们预计明年这一数字的两倍多。

在FinFETs,我们重新调整我们的路线图为下一波的客户服务,在未来几年将采用技术。我们已经开发资源转向14/12nm FinFET平台更贴近他们通过提供一系列创新的IP和特性。新兴企业,例如,对于云计算和通信应用中,我们正在努力一次性和多次可编程(OTP / MTP)嵌入式非易失性内存(eNVM) ultra-high-security性能。这是基于GF的身体察觉和unclonable charge-trapping技术,将可能的市场领先安全解决方案。他们还将提供更高水平的SoC集成。我们NVM的解决方案不需要额外处理或屏蔽措施,并到两次类似的密度OTP基于介电融合技术解决方案。

在射频,女朋友有丰富的产品组合排列与拟议的架构,并继续推进以满足5 g和其他要求。射频都不会,例如,使深覆盖,巨大的窄带物联网连接和低功耗,同时射频FinFET技术提供了良好的扩展和功耗。RFSOI使客户构建先进的恢复/开关与控制功能集成射频前端模块,相控阵和毫米波波束形成。我们各种SiGe-based射频产品性能调整为一长串的低收入和高功率应用程序包括汽车雷达、激光雷达、基站、有线/光/ mmWave &相控阵通信。顺便问一下,客户越来越多地使用我们的SiGe-based产品与CMOS集成取代砷化镓流程历史上用于细胞和wi - fi功率放大器。

AMS产品跨度范围广泛的流程节点(180 - 40 nm)和电压(3 - 700伏),提供客户一个杰出的选择功能和价格点。BCD / BCDLite和高压(高压)技术是基于GF的高效高压CMOS工艺,包括电源和高压晶体管,精确模拟被动者和NVM内存范围广泛的传统的和新兴的移动电话、汽车、物联网和其他应用程序。

差异化的产品

Dagastine:你在演讲中提到的,先进的包装是一个强大的区别。所以如何?

巴顿:女朋友的高性能,具有成本效益的2.5 d, 3 d,和硅光子学先进包装技术支持的四个支柱,并直接对准5 g等新兴应用,网络/基站,AI /毫升和先进的汽车解决方案。

例如,我们though-silicon-via分化(TSV)技术是适合使用TSV等射频应用程序;接地tsv功率放大器;和孤立的tsv堆积在射频天线和/或其他被动者死(优秀的信号完整性和/或大规模减少移动前端模块)。另外,当通过2.5 d和3 d die-stacking,实现tsv可以允许减少延迟和能力通过移动内存接近逻辑。Die-stacking可以提供显著的成本优势通过分裂等异构死分区和功能重用I / O,逻辑,和记忆功能分成更小、成本更低的模具使用叠加的包结构和传统的2 d设计。

关于硅光子学ICs (SiPh),我们都fiber-attach laser-attach包装技术,将通过广发的SiPh铸造产品。

我们一直执行资格与主要OSATs高级包产品。三维包装,我们将支持多个热解决方案选择的OSATs根据产品热需求,我还想指出,我们已经开发出测试我们所有的技术先进的包装解决方案,帮助客户熟悉他们和速度的项目。

Dagastine:你想说关于女朋友的研究活动,现在公司已经从极度扩展CMOS搬走了吗?

巴顿:首先,有一个认为我们完全是关注前沿研究,或者它是唯一的研究,对我们真的很重要,但这根本不是如此。我们一直进行了研发,带给我们现有产品的新功能,添加新的功能,以提高他们的性能和/或降低其成本。我们的FinFET技术提供了一个很好的例子。首先,我们成功地集成MIM电容器互连,导致10%的性能提升。然后,我们开发了新的IP库和取得进一步提高5%。现在我们正在加强这些证明设备的射频功能着眼于5 g的推出。

女朋友的主,我们的研究重点是采取更积极的区分我们的经过验证的技术效果,创造衍生品的启用新的应用程序地址我们已经讨论的机会。

Dagastine:这项工作将在哪里举行?

巴顿:我们有一个大型研发集团在马耳他的重点是有区别的CMOS技术的发展。我们的团队在东鱼难适用于硅光子学、射频和包装技术,关键领域的区别。在新加坡有一个显著的持续研发努力分化能力和射频技术在40 nm和较大的节点,而伯灵顿就是我们行业领先的射频解决方案开发。我们继续与世界各地的大学合作,参与行业研究协会等imec,弗劳恩霍夫和输入法设置在一系列的主题与我们所看到的是我们最好的市场机会。

Dagastine:关闭评论吗?

巴顿:公司只是一样好人民,我很自豪我们的记录first-time-right客户tapeouts全球各地晶圆厂。这不是容易做的这样一个复杂的技术,证明了人才,职业精神和勤奋的我们的同事和工程师。