优点,缺点,FDSOI的应用程序
在过去的几十年中,晶体管特征尺寸不断下降,导致性能和降低功耗的增加。消费者受益,高级电子设备变得越来越有用,有价值,更快、更高效。近年来,随着晶体管特征尺寸减少低于10 nm,它已成为越来越难以满足下一代技术的许多挑战。这样一个挑战涉及泄漏电流,现在代表了很大一部分的晶体管功耗。bulk-silicon晶体管的设计变得越来越复杂,控制漏电流。这个设计复杂性产生了需要额外的加工步骤,以及新的和昂贵的3 d结构。半导体公司,如圣微电子GlobalFoundries,三星和其他硅过程中引入了新的创新技术降低设计复杂度,减少电力需求,逐步利用他们现有的制造能力。
完全耗尽的绝缘体上硅或FDSOI,是一个平面的过程技术带来的好处减少硅几何图形,简化了生产流程。这个过程依赖于两个主要的创新技术。首先,一层超薄的绝缘子,叫做埋氧化,定位基础上硅。这时,一个非常薄的硅薄膜用于形成一个晶体管通道。由于薄膜硅结构,不需要涂料的通道,从而使晶体管“完全耗尽”。这两个的组合创新被称为“超薄身体和埋氧化完全耗尽SOI”或UTBB-FDSOI。在本文中,我们将首先描述SOI(绝缘体上硅)晶片及其特点。我们将讨论FDSOI技术,包括该技术的主要好处,分化与FinFET技术和关键应用程序。
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