碳纳米管记忆太好了,是真的吗?
IP设计公司已经开发了一个可伸缩的DRAM替换使用碳纳米管(碳纳米管),废除了DRAM刷新率,永久存储内容,具有更好的时间比DRAM和可伸缩的。它持续在300年和12000年之间。
“碳纳米管内存听起来如此性感,我可以闭嘴,什么也说不出来,”比尔Gervasi说Nantero首席系统架构师,他对演讲的开场白在问NRAM HotChips 2018,位于加州库比蒂诺的
实际上,碳纳米管电子可取的属性。他们是令人难以置信的强大的弹性,轻量级,传热和电力比金属。但仍然是半导体,即使使用它们仍然充满异国情调的,难以捉摸。
突出显示的设备Nantero HotChips DDR4替代设备,公司为客户设计的。基于碳纳米管的细胞,硅(或其它材料)分层直接问层之上。最终,Nantero看到可以添加更多的层。
Nantero,一家私人公司许可知识产权有超过170纳米专利,使用碳纳米管直接替代DRAM内存,该公司说NRAM(非易失性随机访问存储器)。公司成立于2001年,现在在G系列根据Crunchbase实际上资助,希望你想到这是内存类存储,一个新的术语。它提供了其NRAM嵌入式和DRAM。富士通半导体是它的客户之一。
业界对于DRAM想当然了这么多年,在这个过程中,忍受很多的技术。“大胜利是刷新方式,“Gervasi说。“我们得到15%更多的数据在同一时钟频率DRAM。“Gervasi提醒观众,持久记忆现在内存行业的圣杯:系统设计者想要摆脱失去能量损失数据的问题。通常与DRAM,数据必须时常闪存DRAM和闪存数据之间切换时,滞后时间使记忆不可用。
图1:Nantero DDR4替换使用碳纳米管。secd ECC引擎是一个安全网作为增产的后门。数组分为4-bits-high, 64位长与解码逻辑瓷砖,发送数据通过闭锁amp。不需要pre-charge命令。来源:Nantero
现在,纳米技术,28日Nantero称其NRAM正在4 gbit /平方毫米死层。“设置和重置平衡5纳秒/细胞”后尝试在几个过程,从105年到15 nm, Gervasi说。
图2:Nantero问NRAM模块比较与行业标准持续停电记忆,NVDIMM-N或p。来源:Nantero
“这整个概念的无限的耐力和写5 nsec核心的快速时间参数允许我们定义一个新的概念记忆类的存储作为设备运行内存但永久存储内容,“Gervasi说。“可伸缩性的方式除了DRAM是什么样子,所以我想我们有一个非常舒适的路线图来取代长期DRAM。时间也比DRAM…有额外的吞吐量,以及动态ECC将是一个不错的安全网可以肯定的是我们得到一个可靠的数据连接。”
数以百计的碳纳米管在细胞的记忆里。一旦单层细胞的行业,Nantero将开始调查多层细胞。灵活性是纳米管层可以分层,所以它们是可伸缩的和过程不可知论者。
“你正在谈论的是几乎好得令人难以置信,”内森·布鲁克伍德说:64年研究分析师的洞察力,在问答。
添加层和搅拌
记忆电阻的非易失性随机访问存储器(NVRAM),一个静电电荷在哪里设置和重置每一位为“0”或“1”。
“静电力使碳纳米管连接。一旦连接,他们保持联系直到相反电荷的静电力将它们分开,这是基本的开关。“Nantero之间成千上万这样的纳米管在每个细胞”形成了一个随机的电阻网络元素。“细胞的耐药性变化基于静电力。Gervasi显示动画的一堆碳纳米管表面上呼吸,上下移动。
图3:一个电阻碳纳米管的基础知识。来源:Nantero。
Nantero选择大小合适的纳米管有一个过程。他们需要管在一个金发女孩范围:不要太长,不要太短,直径必须正好让他们主“就像跳水板。“他们的外套的泥浆的逻辑基础之上的碳纳米管层。“生产过程几乎是尴尬的简单,”Gervasi说。逻辑是建立在任何过程或几何为基础层,“你暴露的金属接触和字面上旋转外套的碳纳米管悬浮液的顶部结构,“Gervasi说。烤、腐蚀和密封。
固定的保护层(移动)纳米管保护开关的低层次的金属纳米管倒问层。
迭代层可以扩展它。“你可以通过添加更多的扩展层,”知道Gervasi。“四层的碳纳米管,我们有16 gbit的设备。”
Nantero认为5纳米,甚至1海里,NRAM将通过改变管的大小。
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