标签:NRAM

NVM可靠性挑战和权衡
通过布来安梅奥4月- 13,2020 -评论:0

第二个两部分看不同的记忆和可能的解决方案。第一部分可以在这里找到。虽然各种NVM技术,如极化,MRAM, ReRAM NRAM高层特征相似,其物理渲染有很大的不同。提供每个都有自己的挑战和解决方案。极化有一个不愉快的历史。最初发布的三星、微米、…»阅读更多

DRAM的未来是什么?
通过布来安梅奥- 09年4月,2020 -评论:0

记忆——特别是DRAM——引发了大众的关注,因为它发现自己在关键路径更大的系统的性能。这不是第一次DRAM涉及性能一直是关注的焦点。问题是,不是所有的进展以同样的速度,创造了连续从处理器性能到晶体管设计瓶颈,甚至t…»阅读更多

在新的非易失性记忆
通过布来安梅奥- 07年4月,2020 -评论:0

继续寻找新的非易失性记忆(NVMs)挑战现有在职者,但在任何技术都可以被接受之前,它必须被证明是可靠的。“每个人都在寻找一个普遍的记忆”TongSwan彭日成说富士通高级营销经理。“可靠性不同的技术有不同的挑战,而不是所有人可以在汽车g……»阅读更多

碳纳米管DRAM
通过苏珊兰博8月23日,2018 -评论:0

IP设计公司已经开发了一个可伸缩的DRAM替换使用碳纳米管(碳纳米管),废除了DRAM刷新率,永久存储内容,具有更好的时间比DRAM和可伸缩的。它持续在300年和12000年之间。“碳纳米管内存听起来如此性感,我可以闭嘴,什么也说不出来,”比尔Gervasi说,校长体制……»阅读更多

纳米管RAM做好准备
通过马克LaPedus2017年2月- 20(-评论:6

内存市场会在几个不同的方向。在一个方面,传统的内存类型,这样的DRAM和闪存,仍然是主力技术系统尽管在商业经历一些变化。然后,一些供应商准备下一代记忆类型的市场。进行的一个系列,半导体工程将探索新…»阅读更多

新的嵌入式记忆之前
通过马克LaPedus1月25日,2017 -评论:0

嵌入式内存市场开始升温,推动了新一波的微控制器(mcu)和相关的芯片可能会需要新的、更有能力的非易失性内存类型。这个行业正在从几个不同的方面在嵌入式内存景观。在一个方面,传统的解决方案推进。在另一个方面,一些供应商定位next-generatio……»阅读更多

周评:设计
通过杰西·艾伦- 02年9月,2016 -评论:0

内存Nantero许可其技术非易失性RAM使用碳纳米管(NRAM)富士通半导体和米氏富士通半导体、计划进行联合发展对发布产品基于55-nm过程技术。富士通半导体计划开发一个NRAM-embedded习俗大规模集成电路产品到2018年底。IP Flex Logix完成设计的一个家庭啊……»阅读更多

内存层次结构调整
通过马克LaPedus9月- 16,2015 -评论:0

这已经不是什么秘密,今天的内存芯片和存储设备都在努力跟上日益增长的数据处理需求。为了解决这个问题,芯片制造商一直在几个下一代内存类型。但大多数技术已经推迟或低于他们的承诺。但很多延误后,新一波的下一代非易失性记忆是最后…»阅读更多

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