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标签:Nantero

DRAM达到危机点热的问题
通过凯伦·海曼- 09年6月,2022 -评论:5

在DRAM的世界,正处在一个危机点热的问题。在14 nm下面,在最先进的包装方案,可能需要一个全新的度量来解决如何的乘数效应热密度越来越小问题变成大问题。几个晶体管过热可能不会大大影响可靠性,但产生的热量从几十亿晶体管....»阅读更多

捕碳纳米管场效应晶体管
通过马克LaPedus- 3月18日,2021 -评论:6

碳纳米管晶体管终于取得进展的潜在用途先进逻辑芯片研发近四分之一世纪后。现在的问题是,他们是否会走出实验室,进入工厂。一些政府机构、公司、铸造厂和大学多年来发展,并与碳纳米管场效应正在进步做出……»阅读更多

Execute-in-Place怎么了?
通过布来安梅奥- 8月25日,2020 -评论:0

执行代码直接从非易失性内存,存储,极大地简化了计算体系结构——特别是对于简单的嵌入式设备如微控制器(mcu)。然而,记忆和逻辑过程的分歧使得今天几乎不可能。术语“execute-in-place”或“XIP”,起源于单片机的嵌入式内存也让XIP可行……»阅读更多

NVM可靠性挑战和权衡
通过布来安梅奥4月- 13,2020 -评论:0

第二个两部分看不同的记忆和可能的解决方案。第一部分可以在这里找到。虽然各种NVM技术,如极化,MRAM, ReRAM NRAM高层特征相似,其物理渲染有很大的不同。提供每个都有自己的挑战和解决方案。极化有一个不愉快的历史。最初发布的三星、微米、…»阅读更多

DRAM的未来是什么?
通过布来安梅奥- 09年4月,2020 -评论:0

记忆——特别是DRAM——引发了大众的关注,因为它发现自己在关键路径更大的系统的性能。这不是第一次DRAM涉及性能一直是关注的焦点。问题是,不是所有的进展以同样的速度,创造了连续从处理器性能到晶体管设计瓶颈,甚至t…»阅读更多

在新的非易失性记忆
通过布来安梅奥- 07年4月,2020 -评论:0

继续寻找新的非易失性记忆(NVMs)挑战现有在职者,但在任何技术都可以被接受之前,它必须被证明是可靠的。“每个人都在寻找一个普遍的记忆”TongSwan彭日成说富士通高级营销经理。“可靠性不同的技术有不同的挑战,而不是所有人可以在汽车g……»阅读更多

制造业:8月20日
通过马克LaPedus8月- 20,2019 -评论:0

使碳纳米管与艾俄罗斯的斯科尔科沃科技研究所(Skoltech)开发了一种方法来监测的生长碳纳米管使用人工智能(AI)技术称为机器学习。Skoltech使用人工智能预测合成单壁碳纳米管的性能使用化学气相沉积(CVD)过程。侦探……»阅读更多

下一个新的记忆
通过马克LaPedus8月- 15,2019 -评论:2

几个下一代记忆类型增加经过多年的研发,但还有更多的新记忆研究管道。今天,几个下一代记忆,如MRAM、相变内存(PCM)和ReRAM航运一个学位或另一个。一些新记忆这些技术的延伸。其他基于全新的技术或涉及基于“增大化现实”技术的…»阅读更多

碳纳米管DRAM
通过苏珊兰博8月23日,2018 -评论:0

IP设计公司已经开发了一个可伸缩的DRAM替换使用碳纳米管(碳纳米管),废除了DRAM刷新率,永久存储内容,具有更好的时间比DRAM和可伸缩的。它持续在300年和12000年之间。“碳纳米管内存听起来如此性感,我可以闭嘴,什么也说不出来,”比尔Gervasi说,校长体制……»阅读更多

下一代内存加大
通过马克LaPedus8月- 16,2018 -评论:6

下一代内存市场升温供应商坡道的新技术,但也有一些挑战,这些产品将成为主流。多年来,该行业一直致力于各种内存技术,包括碳纳米管RAM,弗拉姆号,MRAM,相变内存和ReRAM。有些是航运,而另一些则在研发。每个内存类型是迪…»阅读更多

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