塑料薄膜制造多壁碳纳米管


新技术论文题为“直接形成碳纳米管的连接与控制塑料薄膜电阻”由东京大学的研究人员发表的科学。纸声明“我们已经开发出一种简单的方法来制备多壁碳纳米管(MWNT)连接在一个塑料薄膜在室温大气压力。通过辐射MWNT薄费尔……»阅读更多

机遇和挑战为碳纳米管晶体管


新的技术审查篇题为“碳纳米管晶体管:让电子从分子”被杜克大学的研究人员发表,西北大学和斯坦福大学。“之间的机会与潜在的高性能数字逻辑3 d集成和印刷的可能性,甚至可回收的薄膜电子、问晶体管……»阅读更多

研究部分:5月31日


碳纳米管晶体管国家材料科学研究所的研究人员,国家科技大学伊曼纽尔生化物理研究所,中国科学院国家先进工业科技、东京大学、天津大学、昆士兰科技大学创造了晶体管的碳nanotu……»阅读更多

离水监测


管理水资源一直是重要的,但监测越来越高科技,更有用。而不是水龙头的抽查,或一个粗略测量水位的水库,芯片是使监视和测量水的数量和质量的来源,只要它存储,龙头,废水系统。随着气候ch……»阅读更多

半导体纳米通道在热机械的金属碳纳米管手性改变


文摘:“碳纳米管有一个螺旋结构中手性决定了他们是否金属或半导体。使用原位透射电子显微镜,我们应用加热和机械应变改变当地的手性,从而控制个人着单壁球长大的碳纳米管的电子性质。过渡的趋势更大的手性角地区哇…»阅读更多

新的架构,更快的芯片


芯片产业取得进展在多个物理维度和多个架构方法,为巨大的性能增加基于更模块化和异构设计,新的高级包装选项,继续扩展数字逻辑至少两个流程节点。大量的这些变化已经在最近的会议上讨论。我…»阅读更多

DRAM的未来是什么?


记忆——特别是DRAM——引发了大众的关注,因为它发现自己在关键路径更大的系统的性能。这不是第一次DRAM涉及性能一直是关注的焦点。问题是,不是所有的进展以同样的速度,创造了连续从处理器性能到晶体管设计瓶颈,甚至t…»阅读更多

在新的非易失性记忆


继续寻找新的非易失性记忆(NVMs)挑战现有在职者,但在任何技术都可以被接受之前,它必须被证明是可靠的。“每个人都在寻找一个普遍的记忆”TongSwan彭日成说富士通高级营销经理。“可靠性不同的技术有不同的挑战,而不是所有人可以在汽车g……»阅读更多

制造:1月21日


新高频晶体管的弗劳恩霍夫应用固体物理研究所IAF已经开发了一个新的高频晶体管type——金属氧化物半导体HEMT或MOSHEMT。还在研发,弗劳恩霍夫MOSHEMT达到了创纪录的640 ghz的频率。MOSHEMTs设计100 ghz频率范围及以上。应用包括通信、雷达和sens……»阅读更多

电力/性能:12月16日


碳纳米管对射频碳酸研究员Inc .,南加州大学和阿卜杜勒阿齐兹国王科技城,由陆军研究办公室,建议使用碳纳米管无线电频率的应用程序。团队的碳纳米管装置击败传统RF-CMOS技术,实现了速度超过100 ghz。这可能促进mmWave,从而…»阅读更多

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