碳化硅电力半导体肖特基器件安装在火车上的第一步。
有很多公告关于电力半导体Techno-Frontier 2014,上个月在东京举行。今年的一个大故事是功率半导体功率和电池,马达,和热——周围的辩论为碳化硅成本变得更加频繁。
上个月专题文章之一《京都议定书》经济日本经济新闻(日本经济日报)引用了碳化硅功率半导体相关联合开发项目叫做“京都地区超级集群计划”,这是大力促进本身使用日本科学技术振兴机构的资助。参与公司包括欧姆龙公司,京瓷,Samco,日本岛津公司Corp .),住友电工,尼吉康Corp .)、日本Densan, Horiba有限公司、日本村田公司有限公司和壤土。一些大学如京都大学、京都技术研究所、同志社大学、立命馆大学也参加。
壤土最早是日本国内公司开发碳化硅半导体、及其研究由Hiryoyuki Matsunami,京都的名誉教授。Matsunami自1960年代以来一直参与原文如此。1987年,步控制外延发展的方法创造了第一个看到潜在的实际应用,因为它可以减少晶体缺陷引起的过渡。Matsunami表示,尽管肖特基势垒二极管(作为)建于1995年,1999年场效应晶体管的发展,都在很大程度上忽视了日本主要企业。
在那个时候,美国的克里族已经开始出售SiC电路板。此外,德国英飞凌科技将作为2001年在市场上。壤土派出人员Matsunami京都大学的实验室,开始了它的第一次国内碳化硅半导体的研究。后,壤土可以开始大规模生产,是第一个在日本。如今,企业如三菱电机、富士电机,日本电装也发展碳化硅功率半导体。除了日本电装,这些公司也已经开始销售SiC芯片。两种类型的SiC semiconductors-SBD力量和权力FETs-SBD是更受欢迎。至少部分原因来自火车制造商之间的假设,可以减少功率损耗20%通过简单转换快速恢复二极管硅碳化硅的作为。这些芯片安装在新车Eidanchikatetsuginza线和8000 -类型的车辆由Hankyu Dentetsu。 It also is planned for E235 type vehicles for the JR Yamanote line by the fall of 2015. Moreover, Odakyu Dentesu is planning to begin the service using 1,000-type vehicles that have SiC’s VVVF (variable voltage variable frequency) inverter from this December.
碳化硅的优点是,它有一个更高的比硅介电击穿电压。因此,它能够增加压力阻力,尽管其杂质浓度高(低电阻率)。因此,它可以实现高压电阻同时降低导通电阻。采用双相结构是不必要的比如一个IGBT为了增加电流,和它可以使用更少的载波设备。等载体类型晶体管作为或MOSFET / JFET使其高速操作。
通过启用高速切换,不需要外部线圈或电容是非常大的。这可以降低成本的无源元件。碳化硅半导体本身就是一个图的成本高,但整体清晰的成本不会增加由于裁员逆变器系统。会有不同时机碳化硅功率晶体管的引入,这取决于有多少系统可以允许增加成本。至于设备,有一个又一个的公告关于完整的SiC模块集成SiC作为和场效应管。三菱电机宣布一个迷你模块600 v, 20家用电子产品。今年5月,它也产生了1200 v, 100到600一个电源模块(MOSFET和作为。壤土也开始样品出货的1200 v, 300电源模块(MOSFET和作为。
至于设备,有一个又一个的公告关于完整的SiC模块集成SiC作为和场效应管。三菱电机宣布一个迷你模块600 v, 20家用电子产品。今年5月,它也产生了1200 v, 100到600一个电源模块(MOSFET和作为。壤土也开始样品出货的1200 v, 300电源模块(MOSFET和作为。
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