比例种族和NAND短缺将会出现是否感兴趣的话题。
2019年预计将是忙,如果不是困难,在NAND闪存市场。
供应商将继续加大3 d NAND,传统的二维或平面NAND的继承人。在过去的一年,NAND闪存的价格下降和市场供应过剩。
2019年在商店是什么?供应商预计冲出他们的下一代产品。然后,有一个辩论供过于求的情况是否会持续。无论如何,这里是我的五个故事情节的NAND业务2019年:
扩展竞赛
尽管NAND闪存放缓,竞争再次升温。供应商相互比赛推出他们的新一代3 d NAND闪存技术。
在2019年的国际固态电路会议(globalfoundries)、三星和东芝/西方数字组合展示论文3 d NAND闪存设备有128层左右。英特尔、微米和SK海力士正在技术以及中国长江内存技术有限公司(YMTC)。
目前,3 d NAND闪存供应商从64 - 96层迁移设备。下一个版本是128层或一个产品拥有相似的层数。3 d NAND的继任者是当今平面NAND闪存,和用于存储应用程序,如智能手机和固态存储驱动器(ssd)。与平面与非,这是一个二维结构,3 d NAND摩天大楼像一个垂直的水平层记忆细胞堆积,然后使用微小垂直连接通道。
在3 d NAND,一些供应商希望在竞争中保持领先。globalfoundries,三星将对其第六代3 d NAND闪存技术论文,这档节目的特点就是512 gb 3-bit /单元计划和一个82 mb / s写吞吐量和1.2 gb / s接口。
设备超过100层。“我们从来没有宣布我们将船1 xx装置时,“根据三星的一位发言人。“然而,我们预计开始生产6代V-NAND今年晚些时候。”
在东芝/ WD公司发表了一篇论文128 -层设备512 gb 3-bit /细胞密度和132 mb / s写性能。公司没有说何时船的技术。
这一切是什么意思?2019年,96 -层3 d NAND仍将是主流技术。供应商将争夺128层产品准备好。“就像每个人的行进的节奏每年新层数:24日,32岁的48岁,64年,96年,128年,等等。我怀疑128层将在年底前样本,”吉姆说方便,客观分析的分析师。“每个人都已经公开谈论500 +一层部分。谁知道什么时候会结束?”
短缺或不呢?
现在,有太多的3 d与非一般的供应。但是多长时间?
“我不希望看到另一个直到2022年短缺。有一个巨大的资本支出激增2017保证一个非常坚实的过剩持续很长一段时间。一旦枯竭,那么中国将进入市场,延长供应过剩,”方便说。
其他人却不这么认为。“我们预计NAND短缺到年底。很少有添加新NAND工厂产能在过去几个季度,限制与非管道2段h19,”韦斯顿Twigg KeyBanc分析师说。“基于我们fab-by-fab分析,我们项目y / y位供应3问题19降至18%,远低于峰值58% 3的时候。我们还预期价格稳定在2段h19供应紧缩,这可能会引发更多对NAND闪存的需求作为买家急于在价格上涨之前补充耗尽的库存。而NAND闪存市场可以加热2 h,利润率可能会保持在较低水平的六大生产商争夺份额。”
请继续关注。
关于中国的什么?
所有人都在关注中国的YMTC。它计划首次船舶设备——64 -层产品。预计到2019年中期,但它会符合规范吗?这是一个很大的未知数。
YMTC将跳过96 -层生成和直接转移到128层。但先让64 -层产品获得信誉。否则,聚会结束了。
Intel-Micron传奇
一段时间以来,英特尔一直在开发两种类型的内存technologies-3D NAND和3 d XPoint。3 d XPoint是下一代基于相变内存技术。
同时,英特尔的记忆伴侣微米,直到最近。英特尔和微米最近宣布,他们将分道扬镳3 d NAND和3 d XPoint。英特尔和微米将完成下一个设计技术和将分别开发产品。
展望未来,英特尔和微米竞争。聚会开始了。
买方市场
这是一个买方市场与非。看看PCPartPicker, diy网站。在某些情况下,ssd是便宜货。
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