10 nm何时发生的?答:根据晶圆厂。
10 nm的逻辑节点什么时候发生的?
分析人士认为,铸造供应商将进入10 nm finFET批量生产2017左右。还有人说10 nm finFET坡道从2018年到2020年在世界各地都可能发生。
预测的地图。一种预测时间、进度和要求10 nm很简单:晶圆厂。
实际上,英特尔、三星、台积电和GlobalFoundries目前正在建设的不同阶段他们的下一代10 nm节点的晶圆厂。
所以,10 nm工厂成本,它会是什么样子的呢?工厂就可以运行120亿美元或更高。还有其他挑战。“一个新的10 nm工厂是更昂贵的比14纳米工厂。建设并没有改变多少,但设备。10 nm节点要复杂得多,需要更多的流程步骤和多个模式,”分析师Christian格雷戈尔Dieseldorff表示半。“但我们没有看到,10纳米晶圆厂将成为巨大的怪物。事实上,我看到一个趋势,公司将建立更多的模块与洁净室尺寸足够大的有一些良好的批量生产,但不是太大。”
所以,当10纳米晶圆厂进入生产吗?当然,工厂计划在一个给定的公司能改变即刻,基于很多因素。但这是不同公司的最新进展:
英特尔
英特尔目前正在建立一个小10 nm试点行D1C工厂在俄勒冈州。少量试点行背后的想法是将早期的样品给客户。
在Kiryat手枪,以色列,英特尔目前将其工厂18植物从200 mm到300 mm晶圆,根据Dieseldorff。这个工厂是一个很好的候选人10 nm的生产。数据是基于半世界工厂预测报告。
一旦转换完成后,工厂将与英特尔的集成其他300毫米工厂Kiryat手枪,被称为工厂28日Dieseldorff说。总之,合并后的工厂28岁,这可能是针对10 nm finFET生产,预计将有能力每月30000到50000晶片,根据半。
英特尔原本应该安装这个夏天的大容量设备工厂。但是现在,英特尔不会工具进入工厂直到2016年第二季度,集成电路设备行业的消息人士称。
事实上,英特尔推出了体积增加10 nm finFET工厂几个季度,根据来源。英特尔迟到的增加其14 nm finFETs。14 nm延迟摆脱英特尔10 nm时间表,消息人士说。
台积电
台积电工厂12个工厂位于新竹,台湾。在产线,台积电在工厂目前正在建设一个新的工厂模块12日被称为阶段7。第七阶段将启动网站公司的10 nm finFET生产。
台积电将在不久在第7阶段的工具。阶段7工厂模块将有能力每月20000到30000晶片,根据Dieseldorff。
另外,台积电在本月将在新工厂破土动工模块在其工厂15复杂在台中,台湾。5模块,称为阶段,也是针对10 nm finFET能力。总容量的工厂是25000年到35000年晶片一个月,他说。
三星
三星是增加14 nm finFETs S1在韩国工厂和S2的植物在德克萨斯州。与此同时,三星正在建造它所谓的S3在韩国工厂设施。“我们预计三星S3开始10纳米。最后的能力可能是50000年到60000年,”他说。“三星也在奥斯汀S2工厂在14 nm,这可能是一个可能的候选人10 nm升级。”
三星在韩国也有第17行。“设施在一座大楼里有两个无尘室在不同的楼层,”他说。“我不会考虑无尘室是巨大的,但据说他们一起产生高达180 k后发展出。最大的问题是他们将DRAM或大规模集成电路芯片在三楼。第17行的背后,都有S3,最近完成的建筑。”
不甘示弱,三星公司最近在新工厂破土动工的Godeok在平泽市工业园区。目前尚不清楚什么三星将在工厂。
GlobalFoundries
GlobalFoundries正在加强其14 nm finFET过程在其工厂8植物在纽约。“他们已经计划模块8.2,批准。但目前尚不清楚当公司将建立一个新的工厂10 nm的位置,”他补充道。
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从基督教g . Dieseldorff(半):
再伟大的文章(当然)!面试是大约一个月前从那时起我们学习了:
三星第17行有两个楼层。两层据说180 k DRAM的能力。地板已经DRAM,另一个是DRAM或大规模集成电路(所有这一切都将在半世界工厂预测报告)。第17行背后S3,新建筑。今年的工作被完成。这将是三星的LSI 10纳米。2016年开工建设的斜坡。
英特尔在Kiryat手枪开始升级工厂18从200毫米到300毫米。我们相信(英特尔还没有证实这一点),这个工厂是一个很好的候选人10 nm,将结合工厂28日至一个大工厂。
半将发布一个更新的世界工厂预计本月底(5月)。大量的更新对3 d NAND, DRAM,大规模集成电路和铸造。