采用这种技术将使缩放几更多的节点,但这并不容易。
经过多年的听说EUV几乎准备就绪,潮水终于来了。十年的缓慢但稳定的进步导致接触工具,可以公开的1000定期一天晶片。这可能是害羞的高容量的要求制造(HVM),但它肯定足以支持坚实的发展规划和试点线生产。几乎所有领先的制造商已经宣布计划早期引入2018 - 19时间表,与HVM遵循1 - 2年内,如果经济和技术被证明是可行的。论文在有光掩模技术(BACUS) + EUV光刻在蒙特雷会议上,有先进光刻2017会议,光掩模日本2017年研讨会强调了新兴成熟EUV工具和流程,以及剩下的挑战。当然是一个令人激动的时刻的EUV社区,和面具的时间即将到来的改变世界。
从面具制作的角度来看,关键技术问题长期以来被视为空白和多层defectivity面具,面具空白和花纹面具检查,缺陷评审和薄膜。面具空白、工具和流程现在能够支持的需求开发和试点行卷,和检查有图案的面具是圆满解决今天使用的组合DUV面具检查和宽带等离子体光学图案的晶片检查重点重复缺陷晶片。晶片打印验证有助于识别
边际模式容易随机失败(“软”重复缺陷)。
有合理的乐观情绪持续进步应该没有很大的HVM介绍的最后十年。即使光化性的检查和航拍图像审查还没有完全成熟,基于电子束面具pre-pellicle检查检验几乎可以满足所有的需求,还会有继续进化进步延长DUV面具检查。其他领域的EUV掩模检查需要更多的关注是面具空白和背后的缺陷。由于十字线是静电卡盘夹紧,微米大小颗粒上的十字线背后可能导致重大的模式放置错误,可能不同的函数特性几何和取向。背后粒子的早期检测是至关重要的,以避免污染十字线卡盘或引入外国粒子进入十字线处理和存储系统。
重大进展开发薄膜的解决方案,可以使用高功率生产和被集成到面具检查和工厂requalification周期已经被报道。面具基础设施相关的其他问题,如多波束面具作家,计算OPC光刻技术解决方案包括的额外复杂性面具的3 d效果和non-telecentric光学6-degree首席射线角和清洁工具处理,清洗和存储的EUV十字线,都步入HVM准备。
虽然面具让世界清楚地意识到了这些问题和解决方案的进展,差距仍完整的集成的面具,晶片处理以满足最终需求产品晶片。为了充分理解需求对面具的行业,我们必须开发一个全面的视图的EUV制造业需求作为一个整体。面具与晶圆生产要求不完全集成的解决方案创建的风险严重的能力差距。特别是,面具使世界必须理解随机变化的影响在晶片接触,以确保我们将打印正确的面具卷制造。
随机变化的问题是在2017年的一个重要主题有光掩模技术(BACUS) + EUV光刻技术会议。尽管进展EUV权力来源,高吞吐量的数字被称为目标HVM介绍仍然需要低剂量抵抗暴露与相关处罚线边缘粗糙度(l)和模式位置粗糙度(PPR)光子散粒噪声等引起的随机效应。完整的边缘位置错误(EPE)预算必须捕获的贡献由于十字线l和放置错误,晶片过程l和PPR(包括随机噪声),和系统的术语如模式依赖的焦点和位置错误。总EPE预算低单纳米范围,它是越来越难以分配每一项单独的特定数量的海里。总EPE预算将成为最终的指标的成功或失败的整个过程。没有预算的一部分,是否掩盖或晶片相关,可以完全独立于其他术语指定。
随机效应也使计量和检验要求。多小的缺陷能够可靠地检测到或如何测量准确的CD和放置错误是高度依赖于模式粗糙度面具和圆片的水平。随机效应还创建一个新类的可能性的缺陷称为软中继器,或者更恰当的随机缺陷。确定嫌疑人的印刷适性位置面具可能不再是通过简单地露出一个晶片,看看缺陷打印在各个领域;现在重要的缺陷是否打印甚至一小部分的字段。检测CD缺陷与3 - 5 nm背景图案l将挑战,至少可以这么说。CD均匀性提出了类似的挑战。最近在学报论文说明了非高斯背面CD发行版需要大量的分析和考虑7σ的变异而不是传统的3σ值。
EUV即将来临。这项技术的成功采用HVM可能驱动摩尔定律,节点,但这并非易事。面具使社会必须扮演着一个关键角色,使整个过程的可行的EUV策略。协同定位的EUV光刻与BACUS会议研讨会在蒙特利是一个坚实的一步在推动关键面具和晶片之间的相互作用过程的世界。作为一个社区,我们都能有助于打破人工壁垒之间的面具,晶片“筒仓”和发展中全面的解决方案,使EUV生产。
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