未来的等离子体腐蚀;平的状态;面具热点;在学报eBeam演示。
相比先进光刻是一种图形显示。事件,然而,应用材料透露更多细节关于其选择性去除材料的机会,根据韦斯顿Twigg, Pacific Crest Securities的分析师在一份研究报告。应用材料发表了一篇论文,题目是“等离子体蚀刻从这里在哪里?”“薄层蚀刻主持人提出的概念,甚至原子层蚀刻,能够非常精确和有选择地删除目标材料,”Twigg说。“这可能是用于诸如假门切除鳍替代随着行业新门InGaAs等材料,或简单地创造更多完美的外形,鳍来支持持续扩展。主持人甚至提出,腐蚀可以大大简化,使用单一选择性腐蚀而不是也许今天六个单独的蚀刻步骤。它也可以是非常有用的在创造纳米线(潜在5 nm插入),通过删除所有的材料,在终点线。这是非常有趣的东西,但它的早期,我们期望一个权衡的地方,可能在吞吐量,在我们看来。”
应用材料和东京电子有限公司(电话)说他们已经收到通知从美国外国投资委员会(CFIUS)没有未解决的国家安全问题有关公司的业务组合在9月24日宣布,2013年提出。CFIUS的间隙没有条件和终止交易的外国投资委员会审查。
如果你错过了方法相比,这就是石版家思考的活动。“单一通过EUV-is没有可行的计划,所以计划B-extending浸没式光刻技术通过创造性的技术向前发展。芯片制造商似乎接受了这一事实EUV晚了和理解,它可能永远不会被完全准备大规模生产,这是一个加强关注如何扩展浸没式光刻,”Twigg补充道。
面具热点逃离面具店,但基于模型的验证可以阻止他们,据阿基》d2的CEO,在一份白皮书。“虽然晶片生产的绝大多数问题下面的28 nm -》作业流程节点光刻-量和OPC -高相关半导体行业开始看到问题引起的面具热点:晶片量水平生产问题造成光学邻近校正所指定的形状(OPC)不是忠实地复制的面具,“根据》。
2014年学报eBeam倡议午餐由d2, DNP和导师图形。演讲可以是在这里找到。
eBeam倡议,一个论坛,致力于教育和推广新的半导体制造方法基于电子束技术,宣布前教育的主题在2014年,它将突出。相关新闻中,圣人设计自动化(Sage-DA)已经加入了eBeam倡议支持其教育目标,把Sage-DA eBeam社区的角度来看。
供应商Vistec电子束GmbH是一家现代化的、可靠的电子束光刻系统,宣布弗劳恩霍夫ENAS开购买了一个变量成形波束系统。系统被称为Vistec SB254。研究中心将利用新的电子束光刻系统的微型和纳米技术广泛的应用程序。
麻省理工学院,由半导体研究公司(SRC),介绍了新定向自组装(DSA)技术,承诺帮助半导体制造商开发更先进和更便宜的组件。
日本屏幕制造。的子公司,SOKUDO,表示两人450毫米外套/开发跟踪系统已经被选为全球450毫米财团(G450C)。该系统将用于浸ArF光刻和定向自组装(DSA)应用程序。
GlobalFoundries和弗劳恩霍夫集成电路研究所IIS宣布扩展啊f长期合作,专注于40 nm和28 nm流程。铸造供应商也将加入欧洲EUROPRACTICE多产品晶片(”)项目。
射频微设备和TriQuint半导体nnounced最终合并协议,公司将以全股票交易结合起来。
电子科技行业爱德华•格雷迪宣布公司董事会的一员,被任命为公司总裁兼首席执行官尼古拉斯•Konidaris成功。
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