铜表面如何抑制增长480周期Hf3N4沉积在170°C,而不是抑制成核介质表面。
全称:
Vapor-deposited octadecanethiol铜屏蔽层,使区域选择性Hf3N4原子层沉积在电介质研究原位光谱椭圆光度法
真空科学与技术学报031605 (2018);
作者:
Laurent Lecordiera Veeco仪器
Sebastiaan Herregods和西尔维亚Armini IMEC
Area-selective原子层沉积(AS-ALD)近年来吸引了大量的关注,自对准精确位置与subnanometer厚度控制模式。作者证明方法实现AS-ALD利用undecanethiol和octadecanethiol选择性地在汽相沉积铜屏蔽层和low-κ。已经证明了他们的方法结合原位Hf3N4 ALD。原位光谱椭圆计进行调查的屏蔽能力硫醇在铜表面退化成核。相当大的增长抑制480周期Hf3N4沉积在170°C铜表面上观察到的,而同样的功能化没有抑制介质表面上的成核。
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