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晶体管级缺陷诊断

Cell-aware诊断是有用的在前沿节点寻找问题,和其余的人。

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每一个新的半导体供应商设计流程节点代表了激动人心的机会,制造,测试和故障分析解决方案。一个新进程意味着新的挑战来解决,希望更多的钱。另一方面,每当解决方案,提出了解决这些新的挑战,我们很少听到这些是多么有用更成熟的流程节点。一种技术,最近收到了很多关注“cell-aware”测试和故障诊断。与细胞内更多的缺陷尖端节点,cell-aware测试中,确定性目标细胞内部缺陷的位置,和cell-aware诊断,可以识别缺陷在晶体管级,是自然的解决方案。

事实是,绝大多数的半导体器件制造技术,是两个,三个或多个节点在前沿的后面。多么有用cell-aware技术在这些更成熟的节点?在本文中,我们关注cell-aware诊断,识别cell-internal或晶体管级缺陷的位置和类型。而不是确定一个标准单元实例失败的根源,cell-aware诊断可以识别一个小得多的部分细胞。

一个情况cell-aware诊断是有价值的,无论过程节点在大的背景下,复杂的细胞如蛇,乘数,multi-bit序列元素。甚至当一个缺陷是在一个细胞内,找到缺陷在这样一个复杂的细胞在物理失效分析(PFA)可以令人生畏。确定是否这种缺陷系统的产量限制通常需要大量的考试没有死,这可能需要几个月的时间。因此,尽管许多,甚至大多数缺陷可以发现使用传统方法,没有一种方法来解决复杂的细胞缺陷有点像驾驶没有保险。你会很好,一段时间。

Cell-aware诊断捷径冗长的调查过程的精确定位一个小分段可疑的细胞。图1显示了一个案例研究的结果发表在2016年的欧洲测试研讨会(ETS)相比cell-aware诊断结果为160 nm PFA结果汽车设计[1]。cell-aware诊断后确定嫌疑人缺陷位置是细胞内两网之间的一座桥梁,实际的缺陷,poly-contact短,被发现在PFA机构扁平化后多晶硅的水平。这是一个缺陷机制,将错过了在传统的诊断。

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图1:Cell-aware诊断缩小在晶体管级故障的位置。图像从p·麦克斯韦,出版社,“Cell-Aware诊断:有缺陷的囚犯暴露在他们的细胞”,欧洲测试研讨会(ETS) 2016。

什么使cell-aware诊断可能是一个独特的故障模型,由模拟仿真对所有生理缺陷从库中提取细胞布局。每个缺陷的布局信息存储的诊断过程和关键领域和相关缺陷概率每一个可能的桥和开放的缺陷进行了分析。达到一个高概率当相邻网的距离是1技术长度和连接区域的长度,例如,10个或更多技术的长度。低概率出现桥接长度是1技术和相邻对象的距离,例如,技术长10倍或更多。模拟模拟器用于模拟每一个潜在的缺陷对一套详尽的刺激,以确定如果有套细胞输入生成一个输出足够不同没有缺陷的结果。

使用这些模型在诊断过程中,随着设计描述,测试失败数据,和测试模式。Cell-aware诊断适用于任何生成模式类型,如困在过渡延迟,Cell-aware。这意味着整个数据采集和诊断流程不变相比,传统的流。诊断报告列表布局信息的最佳匹配的嫌疑人在考虑互连嫌疑人和细胞内部的嫌疑人。提出的全面布局图覆盖互连缺陷和cell-internal缺陷有利于指导PFA过程和执行产生学习。

一个典型的cell-aware诊断结果如图2所示。在这种情况下,两个cell-internal嫌疑人喊道:内部网络之间的桥梁,在细胞中。这些代表了一个非常小的部分整个细胞,即使在这种情况下这是一个相对简单的NAND2门。

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图2:Cell-aware诊断结果发现两个桥嫌疑人标准电池。

Cell-aware诊断可以提高诊断决议cell-internal缺陷70 x的一个复杂的细胞,和平均超过10倍。Cell-aware启用诊断由layout-justified Cell-aware断层模型,每个库生成一次。Cell-aware诊断改善结果单一部分场景,如客户返回分析诊断等体积的诊断应用产量分析,甚至成熟的节点设计,制造。

引用:

[1]p·麦克斯韦,出版社,“Cell-Aware诊断:有缺陷的囚犯暴露在他们的细胞”,欧洲测试研讨会(ETS) 2016,https://www.mentor.com/products/silicon-yield/ieee_conference_papers/?cmpid=10168



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