22纳米散装和FD-SOI;儿童早期开发包装;Coventor连接光电组。
芯片制造商
在本周的台积电位于加州圣何塞的技术研讨会,台积电推出了无数令人眼花缭乱的新工艺、新技术。也许最令人惊讶的公告是22纳米CMOS工艺,针对超平面芯片低功耗。该技术将与22 nm FD-SOI技术竞争GlobalFoundries。请继续关注。战斗才刚刚开始。
正如预期的,台积电推出一个新的衍生的16 nm finFET的过程,一个12海里finFET的过程。在高端,台积电将斜坡不久10 nm finFET的过程。另外,该公司正准备7海里finFET的过程,最初的磁带出局定于五月。然后,正如预期的7,台积电正在第二个迭代使用极端的紫外线(EUV)纳米光刻技术。
- - - - - - - - - - - - - - - - - -
三星表示,其10 nm finFET生产坡道以“稳定高产”有望按计划来满足顾客的需求。三星出货量超过70000硅片的第一代10 nm LPE(早期低功率)。该公司去年10月开始航运10简述。
Synopsys对此和联华电子公司(联电)共同努力使Synopsys对此自定义编译器和湖人自定义设计工具使用吗联电14 nm finFET的过程。这使得新和验证此后联电14纳米的过程。
创始人、前首席执行官和总裁T.J.罗杰斯柏树半导体已经发布了详细的陈述柏树股东,强调他认为公司的利益冲突和治理问题。
制造业
应用材料被公认为2017年全球最道德的公司由Ethisphere Institute)全球领袖的标准定义和推进道德商业惯例。此外,应用材料Nokota推出,新系统处理电化学沉积wafer-level包装。这些范围从倒装芯片和wafer-level芯片级包2 d和3 d扇出,2.5 d插入器的设计,在矽通过(tsv)。
的美国制造业集成光子学研究所(目标光学),公私合作推进国家的光子学制造能力,已经宣布Coventor是最新的组的成员。Coventor也会为其提供3 d建模技术来提高性能和可制造性的复杂,光子集成设计。
节奏设计系统Coventor,X-FAB和Reutlingen大学-联合全球赞助商的MEMS设计大赛已宣布的毕业典礼设计阶段的比赛。
新科金朋已经出货15亿扇出晶圆级包,在业内也被称为嵌入晶片级球阵列(eWLB)。在高容量生产超过七年,新科金朋导致扇出技术的行业。
市场研究
北美国的半导体设备制造商发布了19.7亿美元在全球比林斯2017年2月,根据半。比林斯数字是6.1%高于决赛2017年1月的18.6亿美元,2016年2月,高出63.8%比林斯的12亿美元的水平。
有关的故事
制造业研究部分:3月14日
没有半导体俄罗斯;英特尔供应商奖;指纹传感器;自动驾驶汽车。
下一个什么OSATs
ASE首席运营官打开扇出,未来的增长前景,未来会出现的机会
点评:制造业的一周
没有半导体俄罗斯;英特尔供应商奖;指纹传感器;自动驾驶汽车。
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复